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1. (WO2018161372) SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/161372 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/077521
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 21.03.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No. 9-2, Tangming Road, Guangming Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
李嘉 LI, Jia; CN
Mandataire :
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国广东省深圳市南山区南山街道前海路泛海城市广场2栋604室 Room 604 Building 2, Oceanwide City Square, Qianhai Road, Nanshan Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518066, CN
Données relatives à la priorité :
201710127535.906.03.2017CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
Abrégé :
(EN) A thin film transistor array substrate, comprising thin film transistors (2) arranged in an array on a glass substrate (1). Each of the thin film transistors is electrically connected to a pixel electrode (3), said thin film transistor comprises an active layer (23), and the pixel electrode and the active layer are at a same structural layer. The active layer is formed by a first portion (3a) of a semiconductor material, the pixel electrode is formed by a second portion (3b) of the semiconductor material that is connected to the first portion of the semiconductor material as an integrated member and converted into a conductor, and the semiconductor material is a metal oxide semiconductor material. Also disclosed are a manufacturing method of the thin film transistor array substrate, and display device comprising the thin film transistor array substrate.
(FR) L'invention concerne un substrat de réseau de transistors à couches minces, comprenant des transistors à couches minces (2) disposés en réseau sur un substrat en verre (1). Chacun des transistors à couches minces est connecté électriquement à une électrode de pixel (3), ledit transistor à couches minces comprenant une couche active (23), et l'électrode de pixel et la couche active étant au niveau d'une même couche structurale. La couche active est formée par une première partie (3a) d'un matériau semiconducteur, l'électrode de pixel est formée par une seconde partie (3b) du matériau semiconducteur qui est connecté à la première partie du matériau semiconducteur en tant qu'élément intégré et converti en un conducteur, et le matériau semiconducteur est un matériau semiconducteur d'oxyde métallique. L'invention concerne également un procédé de fabrication du substrat de réseau de transistors à couches minces, et un dispositif d'affichage comprenant le substrat de réseau de transistors à couches minces.
(ZH) 一种薄膜晶体管阵列基板,包括阵列设置于玻璃基板(1)上的薄膜晶体管(2),每一薄膜晶体管电性连接有一像素电极(3),其中,薄膜晶体管包括有源层(23),像素电极与有源层位于同一结构层中,有源层由第一部分半导体材料(3a)形成,像素电极由与第一部分半导体材料相互一体连接的第二部分半导体材料(3b)转化为导体后形成,半导体材料为金属氧化物半导体材料。还公开了该薄膜晶体管阵列基板的制备方法以及包含该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)