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1. (WO2018161206) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE TUNNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ONDULEUR
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N° de publication : WO/2018/161206 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/075717
Date de publication : 13.09.2018 Date de dépôt international : 06.03.2017
CIB :
H01L 29/772 (2006.01) ,H01L 21/335 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian, Longgang Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs : TSAI, Haocheng; CN
XU, Wanjie; CN
ZHANG, Chen-Xiong; CN
Mandataire : LONGSUN LEAD IP LTD.; Rm.101, Building 3 No. 68 Beiqing Road, Haidian District Beijing 100094, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING INVERTER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE TUNNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ONDULEUR
(ZH) 制作隧穿场效应晶体管的方法与制作反相器的方法
Abrégé :
(EN) A method for fabricating a tunneling field effect transistor and a method for fabricating an inverter. The method for fabricating a tunneling field effect transistor comprises: fabricating a main axis (202) on a substrate (201); covering the main axis (202) with a first passivation protective layer (203); forming a doped region (204) on an area immediately adjacent to the first passivation protective layer (203) in an area which is not covered by the first passivation protective layer (203) and the main axis (202); covering the first passivation protective layer (203) with a second passivation protective layer (205); forming a source region (206), wherein the doping type thereof is opposite to that of the doped region (204), in an area in the doped region which is not covered by the second passivation protective layer (205); removing the main axis (202), and forming a drain region (209) on the area from which the main axis (202) is removed; a projection of the first passivation protective layer (203) and the second passivation protective layer (205) on a first surface is a rectangular ring; removing a passivation protective layer corresponding to a portion in the rectangular ring other than a target portion; removing a passivation protective layer corresponding to the target portion, and fabricating a metal gate (210) on the area from which the passivation protective layer corresponding to the target portion is removed. As such, limitations of the photolithography process may be overcome.
(FR) Cette invention concerne également un procédé de fabrication d'un transistor à effet tunnel et un procédé de fabrication d'un onduleur. Le procédé de fabrication d'un transistor à effet tunnel comprend : la fabrication d'un axe principal (202) sur un substrat (201) ; la couverture de l'axe principal (202) par une première couche protectrice de passivation (203) ; la formation d'une région dopée (204) sur une zone immédiatement adjacente à la première couche protectrice de passivation (203) dans une zone qui n'est pas couverte par la première couche protectrice de passivation (203) et l'axe principal (202) ; la couverture de la première couche protectrice de passivation (203) par une seconde couche protectrice de passivation (205) ; la formation d'une région de source (206), dont le type de dopage est opposé à celui de la région dopée (204), dans une zone dans la région dopée qui n'est pas recouverte par la seconde couche protectrice de passivation (205) ; l'élimination de l'axe principal (202), et la formation d'une région de drain (209) sur la zone de laquelle l'axe principal (202) est éliminé, une projection de la première couche protectrice de passivation (203) et de la seconde couche protectrice de passivation (205) sur une première surface formant un anneau rectangulaire ; l'élimination d'une couche protectrice de passivation correspondant à une partie de l'anneau rectangulaire autre qu'une partie cible ; l'élimination d'une couche protectrice de passivation correspondant à la partie cible, et la fabrication d'une grille métallique (210) sur la zone à partir de laquelle la couche protectrice de passivation correspondant à la partie cible a été éliminée. Ainsi, les limitations du processus de photolithographie peuvent être surmontées.
(ZH) 一种制作隧穿场效应晶体管的方法与制作反相器的方法。制作隧穿场效应晶体管的方法包括:在衬底(201)上制作主轴(202),在主轴(202)上覆盖第一钝化保护层(203);在未被第一钝化保护层(203)与主轴(202)覆盖的区域中紧邻第一钝化保护层(203)的区域上形成掺杂区(204);在第一钝化保护层(203)上覆盖第二钝化保护层(205);在掺杂区未被第二钝化保护层(205)覆盖的区域形成与掺杂区(204)的掺杂类型相反的源区(206);去除主轴(202),并在去除主轴(202)的区域上形成漏区(209),第一钝化保护层(203)与第二钝化保护层(205)在第一表面上的投影为矩形环;去除矩形环中除目标部分之外的部分所对应的钝化保护层;去除目标部分所对应的钝化保护层,并在去除目标部分所对应的钝化保护层的区域上制作金属栅极(210)。因此,可以克服光刻工艺的限制。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)