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1. (WO2018160785) ANCRAGE DU POINT DE CONVERSION EN DESSOUS DE L'INTERFACE DE COUCHE ÉPITAXIALE POUR UN DISPOSITIF DE PUISSANCE SIC

Pub. No.:    WO/2018/160785    International Application No.:    PCT/US2018/020362
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 25/18
C30B 29/36
C30B 25/22
H01L 21/306
H01L 21/02
H01L 21/3065
Applicants: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA
Inventors: BALACHANDRAN, Anusha
CHANDRASHEKHAR, Mvs
SUDARSHAN, Tangali S.
Title: ANCRAGE DU POINT DE CONVERSION EN DESSOUS DE L'INTERFACE DE COUCHE ÉPITAXIALE POUR UN DISPOSITIF DE PUISSANCE SIC
Abstract:
L'invention concerne des procédés de croissance de couches épitaxiales prêtes à l'emploi sur dispositifs SiC et exemptes de dislocations dans le plan basal (BPD), convenant en particulier à des dispositifs 4H-SiC. Les dispositifs sont formés par l'intermédiaire d'une conversion sensiblement à 100 % de dislocations BPD en dislocations en coin (TEDs) tout en ancrant le point de conversion en dessous de l'interface de couche épitaxiale. Des procédés comprennent la formation d'une couche de recombinaison sur une couche tampon préalablement formée et gravée. Les dispositifs permettent d'améliorer la fiabilité et l'efficacité de commutateurs à haute tension utilisés dans des applications courantes telles que des onduleurs, des alimentations sans coupure et d'autres dispositifs de gestion de grande puissance employés dans des véhicules électriques hybrides, des systèmes électroniques d'aéronef, etc. en permettant la fabrication de dispositifs SiC de grande puissance plus petits, plus légers et plus efficaces, dans une plate-forme fiable et rentable.