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1. (WO2018160721) APPAREIL DE DÉTECTION DE LUMIÈRE À HAUTE VITESSE II
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N° de publication : WO/2018/160721 N° de la demande internationale : PCT/US2018/020262
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 28.02.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,G01C 3/02 (2006.01) ,G01S 17/10 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
C
MESURE DES DISTANCES, DES NIVEAUX OU DES RELÈVEMENTS; GÉODÉSIE; NAVIGATION; INSTRUMENTS GYROSCOPIQUES; PHOTOGRAMMÉTRIE OU VIDÉOGRAMMÉTRIE
3
Mesure des distances dans la ligne de visée; Télémètres optiques
02
Détails
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
S
DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES
17
Systèmes utilisant la réflexion ou reradiation d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio, p.ex. systèmes lidar
02
Systèmes utilisant la réflexion d'ondes électromagnétiques autres que des ondes radio
06
Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible
08
pour mesurer la distance uniquement
10
utilisant la transmission de trains discontinus d'ondes modulées par impulsions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ARTILUX CORPORATION [GB/GB]; The Grand Pavilion Commercial Centre Oleander Way, 802 West Bay Road Grand Cayman, KY1-1208, KY
ARTILUX INC. [US/US]; 101 Jefferson Drive Menlo Park, California 94025, US
Inventeurs :
NA, Yun-Chung; TW
LIANG, Che-Fu; TW
CHENG, Szu-Lin; TW
CHEN, Shu-Lu; TW
CHU, Kuan-Chen; TW
LIN, Chung-Chih; TW
LIU, Han-Din; TW
Mandataire :
LEE, Daniel Y.; US
BOWLEY, Christopher C.; US
Données relatives à la priorité :
62/465,13928.02.2017US
62/479,32231.03.2017US
62/485,00313.04.2017US
62/504,53110.05.2017US
62/511,97727.05.2017US
62/534,17918.07.2017US
62/561,26621.09.2017US
62/613,05403.01.2018US
62/617,31715.01.2018US
Titre (EN) HIGH-SPEED LIGHT SENSING APPARATUS II
(FR) APPAREIL DE DÉTECTION DE LUMIÈRE À HAUTE VITESSE II
Abrégé :
(EN) An optical apparatus including a semiconductor substrate; a first light absorption region supported by the semiconductor substrate, the first light absorption region including germanium and configured to absorb photons and to generate photo-carriers from the absorbed photons; a first layer supported by at least a portion of the semiconductor substrate and the first light absorption region, the first layer being different from the first light absorption region; one or more first switches controlled by a first control signal, the one or more first switches configured to collect at least a portion of the photo-carriers based on the first control signal; and one or more second switches controlled by a second control signal, the one or more second switches configured to collect at least a portion of the photo-carriers based on the second control signal, wherein the second control signal is different from the first control signal.
(FR) Cette invention concerne un appareil optique comprenant : un substrat semi-conducteur ; une première région d'absorption de lumière supportée par le substrat semi-conducteur, la première région d'absorption de lumière comprenant du germanium et étant configurée pour absorber des photons et pour générer des porteuses optiques à partir des photons absorbés ; une première couche supportée par au moins une partie du substrat semi-conducteur et la première région d'absorption de lumière, la première couche étant différente de la première région d'absorption de lumière ; un ou plusieurs premier(s) commutateur(s) commandé(s) par un premier signal de commande, le(s) premier(s) commutateur(s) étant configuré(s) pour collecter au moins une partie des porteuses optiques sur la base du premier signal de commande ; et un ou plusieurs second(s) commutateur(s) commandé(s) par un second signal de commande, le(s) second(s) commutateurs étant configuré(s) pour collecter au moins une partie des porteuses optiques sur la base du second signal de commande, le second signal de commande étant différent du premier signal de commande.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)