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1. (WO2018160499) APPAREILS ET PROCÉDÉS POUR FOURNIR DES COMMANDES DE MÉMOIRE INTERNE ET SIGNAUX DE COMMANDE DANS DES MÉMOIRES À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/160499 N° de la demande internationale : PCT/US2018/019781
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 26.02.2018
CIB :
G11C 7/22 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
22
Circuits de synchronisation ou d'horloge pour la lecture-écriture (R-W); Générateurs ou gestion de signaux de commande pour la lecture-écriture (R-W)
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
LEE, Hyun Yoo; US
KWAK, Jongtae; US
TATAPUDI, Suryanarayana; US
Mandataire :
ENG, Kimton; US
FAUTH D., Justen; US
HAEN, Shannon; US
HEGSTROM, Brandon; US
ANDKEN, Kerry Lee; US
ITO, Mika; US
MA, Yue Matthew; US
MEIKLEJOHN, Paul T.; US
NYRE, Erik; US
ORME, Nathan; US
QUECAN, Andrew; US
WETZEL, Elen; US
STERN, Ronald; US
SPAITH, Jennifer; US
Données relatives à la priorité :
15/445,79528.02.2017US
Titre (EN) APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING INTERNAL MEMORY COMMANDS AND CONTROL SIGNALS IN SEMICONDUCTOR MEMORIES
(FR) APPAREILS ET PROCÉDÉS POUR FOURNIR DES COMMANDES DE MÉMOIRE INTERNE ET SIGNAUX DE COMMANDE DANS DES MÉMOIRES À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) Apparatuses and methods for providing internal memory commands and control signals in semiconductor memories are disclosed. In an example apparatus, a command path receives read commands and provides respective control signals for each read command. The command path is configured to provide initial control signals for an initial read command responsive to a first clock edge of a clock signal of a plurality of multiphase clock signals and to further provide respective control signals for subsequent read commands responsive to receipt of the subsequent read commands. The example apparatus further includes a read data output circuit configured to receive the control signals from the command path and further receive read data in parallel. The read data output circuit is configured to provide the read data serially responsive to the control signals.
(FR) L'invention concerne des appareils et des procédés pour fournir des commandes de mémoire interne et des signaux de commande dans des mémoires semi-conductrices. Dans un appareil donné à titre d'exemple, un chemin de commande reçoit des commandes de lecture et fournit des signaux de commande respectifs pour chaque commande de lecture. Le chemin de commande est configuré pour fournir des signaux de commande initiaux pour une commande de lecture initiale en réponse à un premier front d'horloge d'un signal d'horloge d'une pluralité de signaux d'horloge multiphasés et pour fournir en outre des signaux de commande respectifs pour des commandes de lecture subséquentes en réponse à la réception des commandes de lecture ultérieures. L'appareil donné à titre d'exemple comprend en outre un circuit de sortie de données de lecture configuré pour recevoir les signaux de commande provenant du chemin de commande et pour recevoir en outre des données de lecture en parallèle. Le circuit de sortie de données de lecture est configuré pour fournir les données de lecture en série en réponse aux signaux de commande.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)