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1. (WO2018160461) APPAREIL ET PROCÉDÉ D'AMINCISSEMENT DE TRANCHE DANS DES APPLICATIONS D'ENCAPSULATION AVANCÉES
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N° de publication : WO/2018/160461 N° de la demande internationale : PCT/US2018/019476
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 23.02.2018
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
Déposants :
VEECO PRECISION SURFACE PROCESSING LLC [US/US]; 185 Gibraltar Road Horsham, PA 19044, US
Inventeurs :
MAUER, Laura; US
TADDEI, John; US
CLARK, John; US
NULMAN, Kenji; US
Mandataire :
ELLIS, Edward, J.; US
LEASON, David; US
Données relatives à la priorité :
62/466,45103.03.2017US
Titre (EN) AN APPARATUS AND METHOD FOR WAFER THINNING IN ADVANCED PACKAGING APPLICATIONS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ D'AMINCISSEMENT DE TRANCHE DANS DES APPLICATIONS D'ENCAPSULATION AVANCÉES
Abrégé :
(EN) A system and method are provided for etching semiconductor wafers (integrated circuit substrates) with advanced packaging using a two-step wet etching process. The first etch step uses an etchant that is non-selective to at least the wafer material (silicon) and metals, such as copper and titanium, that are present in the wafer. The second etch step uses an etchant that is selective to the wafer material (silicon) and has low selectivity for the metals, thereby leaving them at least substantially intact.
(FR) L'invention concerne un système et un procédé pour graver des tranches à semi-conducteur (substrats de circuit intégré) avec une encapsulation avancée à l'aide d'un procédé de gravure humide en deux étapes. La première étape de gravure utilise un agent de gravure qui est non sélectif vis-à-vis d'au moins le matériau de tranche (silicium) et les métaux, tels que le cuivre et le titane, qui sont présents dans la tranche. La seconde étape de gravure utilise un agent de gravure qui est sélectif vis-à-vis du matériau de tranche (silicium) et présente une faible sélectivité pour les métaux, ce qui les laisse au moins sensiblement intacts.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)