Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018160309) CIRCUIT DE MÉMOIRE AVEC PARTIE DE DÉRIVATION D’ÉCRITURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/160309 N° de la demande internationale : PCT/US2018/016003
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 30.01.2018
CIB :
G06F 12/0893 (2016.01) ,G11C 11/44 (2006.01) ,G11C 8/14 (2006.01) ,G11C 8/08 (2006.01) ,H01L 39/22 (2006.01)
[IPC code unknown for G06F 12/0893]
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
44
utilisant des éléments supraconducteurs, p.ex. des cryotrons
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
14
Organisation de lignes de mots; Disposition de lignes de mots
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
08
Circuits de commande de lignes de mots, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, pour lignes de mots
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
22
Dispositifs comportant une jonction de matériaux différents, p.ex. dispositifs à effet Josephson
Déposants :
NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 2980 Fairview Park Drive Falls Church, VA 22042-4511, US
Inventeurs :
KONIGSBURG, Brian; US
TSCHIRHART, Paul, Kenton; US
Mandataire :
HARRIS, Christopher, P.; US
Données relatives à la priorité :
15/446,81201.03.2017US
Titre (EN) MEMORY CIRCUIT WITH WRITE-BYPASS PORTION
(FR) CIRCUIT DE MÉMOIRE AVEC PARTIE DE DÉRIVATION D’ÉCRITURE
Abrégé :
(EN) One example includes a memory circuit. The memory circuit includes a memory array in which contiguous rows of the memory array are organized as a write-bypass portion that comprises a first portion of the rows and a main memory portion that includes a remaining portion of the rows. A given data word is stored in each of a row in the write-bypass portion and another row in the main memory portion during a data write operation in response to word-write signals and bit- write signals associated with each of the respective plurality of contiguous columns. The circuit also includes a control logic configured to store data associated with storage locations of the given data word in each of the row in the write-bypass portion and the other row in the main memory portion to facilitate access of the given data word during a data read operation.
(FR) Un exemple de la présente invention concerne un circuit de mémoire. Le circuit de mémoire inclut un réseau de mémoires dans lequel des rangées contigües du réseau de mémoires sont organisées en tant que partie de dérivation d’écriture qui comprend une première partie des rangées et une partie de mémoire principale qui inclut une partie restante des rangées. Un mot de données donné est stocké à la fois dans une rangée dans la partie de dérivation d’écriture et dans une autre rangée dans la partie de mémoire principale durant une opération d’écriture de données en réponse à des signaux d’écriture de mot et à des signaux d’écriture de bit associés à chacune de la pluralité respective de colonnes contigües. Le circuit inclut également une logique de commande configurée pour stocker des données associées à des emplacements de stockage du mot de données donné dans la rangée de la partie de dérivation d’écriture et dans l'autre rangée de partie de mémoire principale pour faciliter un accès du mot de données donné durant une opération de lecture de données.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)