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1. (WO2018160285) STRUCTURE À COURANT DE SPIN PRÉCESSIONNEL ET À FORTE AIMANTATION PLANAIRE POUR MRAM
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N° de publication : WO/2018/160285 N° de la demande internationale : PCT/US2018/014641
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 22.01.2018
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
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Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
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Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
SPIN TRANSFER TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 45500 Northport Loop West Fremont, California 94538, US
Inventeurs :
PINARBASI, Mustafa Michael; US
KARDASZ, Bartlomiej Adam; US
Mandataire :
MILLER, Jeffrey A.; US
Données relatives à la priorité :
15/445,26028.02.2017US
Titre (EN) PRECESSIONAL SPIN CURRENT STRUCTURE WITH HIGH IN-PLANE MAGNETIZATION FOR MRAM
(FR) STRUCTURE À COURANT DE SPIN PRÉCESSIONNEL ET À FORTE AIMANTATION PLANAIRE POUR MRAM
Abrégé :
(EN) A magnetoresistive random-access memory (MRAM) is disclosed. MRAM device has a magnetic tunnel junction stack having a significantly improved performance of the free layer in the magnetic tunnel junction structure. The MRAM device utilizes a precessional spin current (PSC) magnetic layer in conjunction with a perpendicular MTJ where the in-plane magnetization direction of the PSC magnetic layer is free to rotate. The precessional spin current magnetic layer is constructed with a material having a face centered cubic crystal structure, such as permalloy.
(FR) L'invention concerne un dispositif à mémoire vive magnétique (MRAM). Un dispositif MRAM comprend un empilement de jonctions tunnels magnétiques (MTJ) dont la performance de la couche libre située dans la structure de jonction tunnel magnétique est nettement améliorée. Le dispositif MRAM a recours à une couche magnétique à PSC - courant de spin précessionnel - en association avec un MJT perpendiculaire, la direction d’aimantation planaire de la couche magnétique PSC étant libre de tourner. La couche magnétique à courant de spin précessionnel est réalisée avec un matériau de structure cristalline cubique à faces centrées, tel que le permalloy.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)