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1. (WO2018160242) FORMATION D'UN FILM DE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UNE OUVERTURE D'EMPILEMENT

Pub. No.:    WO/2018/160242    International Application No.:    PCT/US2017/063398
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 29 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 27/1158
H01L 27/11524
H01L 27/11553
H01L 27/1157
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: BARASKAR, Ashish
PANG, Liang
ZHANG, Yanli
LU, Ching-Huang
DONG, Yingda
Title: FORMATION D'UN FILM DE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UNE OUVERTURE D'EMPILEMENT
Abstract:
L'invention concerne des procédés de formation d'une mémoire non volatile. Une ouverture peut être gravée à travers un empilement de deux matériaux alternés sur un substrat semi-conducteur. Un film de nitrure de silicium peut être formé sur une paroi latérale verticale de l'ouverture. Le substrat semi-conducteur peut être nettoyé pour éliminer l'oxyde du substrat semi-conducteur. Le film de nitrure de silicium protège les matériaux dans l'empilement tout en nettoyant le substrat semi-conducteur. Le film de nitrure de silicium peut être transformé en un oxyde après nettoyage du substrat semi-conducteur. Une région semi-conductrice peut être formée en contact avec le substrat semi-conducteur nettoyé. Un film de cellule de mémoire peut être formé sur l'oxyde dans l'ouverture. Des grilles de commande peuvent être formées en remplaçant l'un des matériaux dans l'empilement par un matériau conducteur. L'oxyde peut servir de couche de blocage entre les grilles de commande et les régions de stockage de charge dans le film de cellule de mémoire.