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1. (WO2018159785) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE RÉFLÉCHISSANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/159785 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/007897
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 01.03.2018
CIB :
G03F 1/24 (2012.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
22
Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'une longueur d'onde de 100 nm ou moins, p.ex. masques pour rayons X, masques en extrême ultra violet [EUV]; Leur préparation
24
Masques en réflexion; Leur préparation
Déposants :
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
Inventeurs :
池邊 洋平 IKEBE Yohei; JP
堀川 順一 HORIKAWA Junichi; JP
尾上 貴弘 ONOUE Takahiro; JP
片岡 瑞生 KATAOKA Mizuki; JP
Mandataire :
特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; 東京都千代田区麹町5-3-1 麹町ビジネスセンター Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083, JP
山村 大介 YAMAMURA Daisuke; JP
Données relatives à la priorité :
2017-03910002.03.2017JP
Titre (EN) REFLECTIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE RÉFLÉCHISSANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a reflective mask blank which is capable of reducing a shadowing effect of extreme ultraviolet (EUV) lithography, and which is capable of forming fine patterns; and a reflective mask. As a result, a semiconductor device can be produced with a stable, high transfer accuracy. The reflective mask blank has a multilayer reflective film and an absorbent film which are provided in that order on a substrate. The absorbent film comprises a material including an amorphous metal which includes at least one element from among cobalt (Co) and nickel (Ni).
(FR) L'invention concerne : une ébauche de masque réfléchissant qui est susceptible de réduire un effet d'ombrage de la lithographie par ultraviolets extrêmes (EUV), et qui est susceptible de former des motifs fins ; et un masque réfléchissant. En conséquence, un dispositif à semi-conducteur peut être produit avec une précision de transfert stable et élevée. L'ébauche de masque réfléchissant a un film réfléchissant multicouche et un film absorbant qui sont disposés dans cet ordre sur un substrat. Le film absorbant est composé d'un matériau comprenant un métal amorphe qui comprend au moins un élément parmi le cobalt (Co) et le nickel (Ni).
(JA) EUVリソグラフィのシャドーイング効果を低減し、微細なパターンを形成することが可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。このことにより安定して高い転写精度で半導体装置を製造する。 基板上に、多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、前記吸収体膜は、コバルト(Co)及びニッケル(Ni)のうち少なくとも1以上の元素を含有するアモルファス金属を含む材料からなる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)