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1. (WO2018159699) NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLES-CI, ET DISPOSITIF LUMINESCENT

Pub. No.:    WO/2018/159699    International Application No.:    PCT/JP2018/007580
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Mar 01 00:59:59 CET 2018
IPC: C09K 11/62
B82Y 30/00
B82Y 40/00
C01G 15/00
C09K 11/08
H01L 33/50
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
国立大学法人名古屋大学
OSAKA UNIVERSITY
国立大学法人大阪大学
NICHIA CORPORATION
日亜化学工業株式会社
Inventors: TORIMOTO, Tsukasa
鳥本 司
KAMEYAMA, Tatsuya
亀山 達矢
KISHI, Marino
岸 まり乃
MIYAMAE, Chie
宮前 千恵
KUWABATA, Susumu
桑畑 進
UEMATSU, Taro
上松 太郎
OYAMATSU, Daisuke
小谷松 大祐
NIKI, Kenta
仁木 健太
Title: NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLES-CI, ET DISPOSITIF LUMINESCENT
Abstract:
L’invention fournit des nanoparticules semi-conductrices qui présentent une luminescence en bord de bande, et qui possèdent une longueur d’onde de pic de luminescence courte. Ces nanoparticules semi-conductrices contiennent Ag, In, Ga et S, le rapport du nombre d’atomes de Ga par rapport au total du nombre d’atomes de In et Ga, étant inférieur ou égal à 0,95. Enfin, ces nanoparticules semi-conductrices possèdent une longueur d’onde de pic de luminescence dans une plage supérieure ou égale à 500nm et inférieure à 590nm, émettent une lumière de demi-largeur de pic de luminescence inférieure ou égale à 70nm, et présentent un diamètre particulaire moyen inférieur ou égal à 10nm.