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1. (WO2018159646) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE

Pub. No.:    WO/2018/159646    International Application No.:    PCT/JP2018/007392
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Mar 01 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 29/38
C23C 16/34
C30B 25/20
H01L 21/205
Applicants: SCIOCS COMPANY LIMITED
株式会社サイオクス
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
住友化学株式会社
Inventors: YOSHIDA Takehiro
吉田 丈洋
HORIKIRI Fumimasa
堀切 文正
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
Abstract:
Ce procédé de production d'un substrat semi-conducteur en nitrure comprend : une étape consistant à faire croître, dans une direction d'axe c, un cristal semi-conducteur de nitrure sur une surface +C d'un substrat de germe cristallin formé d'un cristal semi-conducteur de nitrure pour former une première couche semi-conductrice en nitrure de type n- ; une étape consistant à faire croître, dans la direction de l'axe c, un cristal semi-conducteur de nitrure sur la surface +C du premier semi-conducteur en nitrure pour former une deuxième couche semi-conductrice en nitrure ; et une étape consistant à mettre à nu la surface -C de la première couche semi-conductrice en nitrure par le retrait du substrat de germe cristallin, pour obtenir, en tant que substrat semi-conducteur en nitrure, un stratifié de la première et de la deuxième couche semi-conductrices en nitrure dans lequel la surface –C est la surface principale.