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1. (WO2018159624) FILM MULTICOUCHE FERROMAGNÉTIQUE, ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM MULTICOUCHE FERROMAGNÉTIQUE
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N° de publication : WO/2018/159624 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/007300
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 27.02.2018
CIB :
H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants : TDK CORPORATION[JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
Inventeurs : SASAKI Tomoyuki; JP
TANAKA Yoshitomo; JP
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; JP
KUROKI Yoshiki; JP
MIKAMI Takafumi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-03724528.02.2017JP
Titre (EN) FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROMAGNETIC MULTILAYER FILM
(FR) FILM MULTICOUCHE FERROMAGNÉTIQUE, ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM MULTICOUCHE FERROMAGNÉTIQUE
(JA) 強磁性多層膜、磁気抵抗効果素子、及び強磁性多層膜を製造する方法
Abrégé :
(EN) This ferromagnetic multilayer film is provided with a first magnetization fixed layer, a first interposing layer, a second interposing layer, a magnetic coupling layer, and a second magnetization fixed layer. The first magnetization fixed layer and the second magnetization fixed layer are anti-ferromagnetically coupled by exchange-coupling via the first intermediate layer, the second intermediate layer, and the magnetic coupling layer. The main element of the magnetic coupling layer is Ru, Rh, or Ir, the main element of the first interposing layer is the same as the main element of the magnetic coupling layer, and the main element of the second interposing layer is different from the main element of the magnetic coupling layer. The thickness of the first interposing layer is 1.5-3.2 times the atomic radius of the main element of the first interposing layer, and the thickness of the second interposing layer is at most 1.5 times the atomic radius of the main element of the second interposing layer.
(FR) L'invention concerne un film multicouche ferromagnétique comprenant une première couche fixe de magnétisation, une première couche d'interposition, une seconde couche d'interposition, une couche de couplage magnétique et une seconde couche fixe de magnétisation. La première couche fixe de magnétisation et la seconde couche fixe de magnétisation sont couplées de manière antiferromagnétique par couplage d'échange par l'intermédiaire de la première couche intermédiaire, de la seconde couche intermédiaire et de la couche de couplage magnétique. L'élément principal de la couche de couplage magnétique est Ru, Rh ou Ir, l'élément principal de la première couche d'interposition est identique à l'élément principal de la couche de couplage magnétique, et l'élément principal de la seconde couche d'interposition est différent de l'élément principal de la couche de couplage magnétique. L'épaisseur de la première couche d'interposition est de 1,5 à 3,2 fois le rayon atomique de l'élément principal de la première couche d'interposition, et l'épaisseur de la seconde couche d'interposition est au plus 1,5 fois le rayon atomique de l'élément principal de la seconde couche d'interposition.
(JA) 強磁性多層膜は、第一磁化固定層、第一介在層、第二介在層、磁気結合層、及び第二磁化固定層を備える。第一磁化固定層と第二磁化固定層とは、第一介在層、第二介在層、及び磁気結合層を介した交換結合によって、反強磁性的に結合しており、磁気結合層の主元素は、Ru、Rh、又はIrであり、第一介在層の主元素は、磁気結合層の主元素と同一であり、第二介在層の主元素は、磁気結合層の主元素と異なり、第一介在層の厚さは、第一介在層の主元素の原子半径の1.5倍以上、3.2倍以下であり、第二介在層の厚さは、第二介在層の主元素の原子半径の1.5倍以下である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)