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1. (WO2018159619) FEUILLE D'ÉTANCHÉITÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/159619    International Application No.:    PCT/JP2018/007288
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Feb 28 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 23/29
C09C 1/28
C09C 1/40
C09C 3/12
C09J 11/04
C09J 11/06
C09J 201/00
H01L 21/56
H01L 23/31
Applicants: LINTEC CORPORATION
リンテック株式会社
Inventors: WATANABE Yasutaka
渡邉 康貴
NEZU Yusuke
根津 裕介
SUGINO Takashi
杉野 貴志
Title: FEUILLE D'ÉTANCHÉITÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur comprenant une étape de traitement dans laquelle une solution alcaline est utilisée, la présente invention concerne une feuille d'étanchéité (1) qui est utilisée pour sceller une puce à semi-conducteur incorporée dans un substrat ou sceller une puce à semi-conducteur sur une feuille adhésive. La feuille d'étanchéité (1) est pourvue d'au moins une couche adhésive durcissable (11), et la couche adhésive (11) est formée à partir d'une composition adhésive contenant une résine thermodurcissable, une résine thermoplastique, et une charge inorganique traitée en surface avec un agent de traitement de surface ayant une surface de revêtement minimale inférieure à 550 m2/g. Avec la feuille d'étanchéité (1), il y a moins de risques de gonflement de placage métallique.