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1. (WO2018159530) SOLUTION DE POLISSAGE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, SOLUTION MÈRE DE SOLUTION DE POLISSAGE, CORPS LA CONTENANT ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE
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N° de publication : WO/2018/159530 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/006964
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 26.02.2018
CIB :
C09K 3/14 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
14
Substances antidérapantes; Abrasifs
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37
Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
G
COMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1
Compositions de produits à polir
02
contenant des abrasifs ou agents de polissage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布２丁目２６番３０号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
上村　哲也 KAMIMURA Tetsuya; JP
Mandataire :
渡辺　望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和　晴子 MIWA Haruko; JP
伊東　秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋　史生 MITSUHASHI Fumio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-03779028.02.2017JP
Titre (EN) POLISHING SOLUTION, METHOD FOR PRODUCING POLISHING SOLUTION, POLISHING SOLUTION STOCK SOLUTION, POLISHING SOLUTION STOCK SOLUTION CONTAINING BODY, AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD
(FR) SOLUTION DE POLISSAGE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, SOLUTION MÈRE DE SOLUTION DE POLISSAGE, CORPS LA CONTENANT ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE
(JA) 研磨液、研磨液の製造方法、研磨液原液、研磨液原液収容体、化学的機械的研磨方法
Abrégé :
(EN) One objective of the present invention is to provide a polishing solution which is not likely to cause dishing and defects on a polished surface when applied to CMP of an object to be polished, said object containing a cobalt-containing layer. Another objective of the present invention is to provide a method for producing a polishing solution, a polishing solution stock solution, a polishing solution stock solution containing body, and a chemical mechanical polishing method. A polishing solution according to the present invention is a polishing solution for chemical mechanical polishing, which contains a colloidal silica having a degree of association of 1-3, an organic acid, an azole compound and hydrogen peroxide. If this polishing solution is in contact with a cobalt substrate for 24 hours, a reaction layer that contains cobalt atoms and has a thickness of 0.5-20 nm is formed on the cobalt substrate.
(FR) Un objet de la présente invention est de pourvoir à une solution de polissage qui n'est pas susceptible de former des cuvettes et autres défauts sur une surface polie quand elle est appliquée au CMP d'un objet à polir, où ledit objet comporte une couche contenant du cobalt. Un autre objet de la présente invention est de pourvoir à un procédé de production d'une solution de polissage, à une solution mère de solution de polissage, à un corps la contenant, et à un procédé de polissage mécano-chimique. La solution de polissage selon la présente invention est une solution de polissage pour polissage mécano-chimique, qui contient une silice colloïdale ayant un degré d'association de 1 à 3, un acide organique, un composé d'azole et du peroxyde d'hydrogène. Si cette solution de polissage est en contact avec un substrat à base de cobalt pendant 24 heures, une couche de réaction qui contient des atomes de cobalt et d'une épaisseur de 0,5 à 20 nm se forme sur le substrat à base de cobalt.
(JA) 本発明の課題は、コバルト含有層を含む被研磨体のＣＭＰに適用した際に、被研磨面にディッシング及び欠陥が発生しにくい研磨液を提供することである。また、本発明の他の課題は、研磨液の製造方法、研磨液原液、研磨液原液収容体、及び化学的機械的研磨方法を提供することである。　本発明の研磨液は、会合度１～３のコロイダルシリカと、有機酸と、アゾール系化合物と、過酸化水素と、を含有する化学的機械的研磨用の研磨液であって、上記研磨液とコバルト基板とを２４時間接触させた際に、上記コバルト基板上に、コバルト原子を含有する厚み０．５～２０ｎｍの反応層が形成される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)