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1. (WO2018159396) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
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N° de publication : WO/2018/159396 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/006131
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 21.02.2018
CIB :
H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H03B 15/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
15
Production d'oscillations par effets galvanomagnétiques, p.ex. dispositifs à effet Hall, ou par effets de supraconduction
Déposants :
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Inventeurs :
伊藤 邦恭 ITO Kuniyasu; JP
原 晋治 HARA Shinji; JP
Mandataire :
星宮 勝美 HOSHIMIYA Katsumi; JP
城澤 達哉 SHIROSAWA Tatsuya; JP
伊藤 進 ITOH Susumu; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04065003.03.2017JP
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE
(FR) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
(JA) 磁気抵抗効果デバイス
Abrégé :
(EN) A magnetoresistance effect device 1 is provided with a magnetoresistance effect element 2, and an external magnetic field application section 3 that applies an external magnetic field to the magnetoresistance effect element 2. The magnetoresistance effect element 2 includes a first ferromagnetic layer 21, a second ferromagnetic layer 23, and a spacer layer 22. The external magnetic field application section 3 includes a magnetization holding section 35 and a magnetization setting section 30. The magnetization setting section 30 has a function of setting, with respect to the magnetization holding section 35, magnetization to be used for the purpose of generating the external magnetic field, said magnetization being set by applying a magnetization setting magnetic field to the magnetization holding section 35, then, stopping the application of the magnetization setting magnetic field. The magnetization holding section 35 has a function of holding the set magnetization after the application of the magnetization setting magnetic field is stopped.
(FR) L'invention concerne un dispositif à effet de magnétorésistance (1) qui comprend un élément à effet de magnétorésistance (2) et une section d'application de champ magnétique externe (3) qui applique un champ magnétique externe à l'élément à effet de magnétorésistance (2). L'élément à effet de magnétorésistance (2) comprend une première couche ferromagnétique (21), une seconde couche ferromagnétique (23) et une couche d'espacement (22). La section d'application de champ magnétique externe (3) comprend une section de maintien de magnétisation (35) et une section de définition de magnétisation (30). La section de définition de magnétisation (30) a une fonction de définition, par rapport à la section de maintien de magnétisation (35), d'une magnétisation à utiliser dans le but de générer le champ magnétique externe, ladite magnétisation étant définie par l'application d'un champ magnétique de définition de magnétisation à la section de maintien de magnétisation (35), puis l'arrêt de l'application du champ magnétique de définition de magnétisation. La section de maintien de magnétisation (35) a une fonction de maintien de la magnétisation définie après l'arrêt de l'application du champ magnétique de définition de magnétisation.
(JA) 磁気抵抗効果デバイス1は、磁気抵抗効果素子2と、磁気抵抗効果素子2に対して外部磁界を印加する外部磁界印加部3を備えている。磁気抵抗効果素子2は、第1の強磁性層21と第2の強磁性層23とスペーサ層22を含んでいる。外部磁界印加部3は、磁化保持部35と磁化設定部30を含んでいる。磁化設定部30は、磁化保持部35に対して磁化設定用磁界を印加した後、磁化設定用磁界の印加を停止することによって、外部磁界を生成するために用いられる磁化を磁化保持部35に設定する機能を有している。磁化保持部35は、設定された磁化を、磁化設定用磁界の印加停止後に保持する機能を有している。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)