Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018159356) COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM CONTENANT DU SILICIUM, FILM CONTENANT DU SILICIUM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET POLYSILOXANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/159356 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005724
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 19.02.2018
CIB :
C09D 183/08 (2006.01) ,C08G 77/28 (2006.01) ,C09D 7/40 (2018.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
D
COMPOSITIONS DE REVÊTEMENT, p.ex. PEINTURES, VERNIS OU VERNIS-LAQUES; APPRÊTS EN PÂTE; PRODUITS CHIMIQUES POUR ENLEVER LA PEINTURE OU L'ENCRE; ENCRES; CORRECTEURS LIQUIDES; COLORANTS POUR BOIS; PRODUITS SOLIDES OU PÂTEUX POUR COLORIAGE OU IMPRESSION; EMPLOI DE MATÉRIAUX À CET EFFET
183
Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
04
Polysiloxanes
08
contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77
Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
04
Polysiloxanes
22
contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène
28
groupes contenant du soufre
[IPC code unknown for C09D 7/40]
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
大坪 裕介 OOTSUBO Yuusuke; JP
栗田 俊輔 KURITA Shunsuke; JP
Mandataire :
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-03980102.03.2017JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR SILICON-CONTAINING-FILM FORMATION, SILICON-CONTAINING FILM, PATTERN FORMATION METHOD, AND POLYSILOXANE
(FR) COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM CONTENANT DU SILICIUM, FILM CONTENANT DU SILICIUM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET POLYSILOXANE
(JA) ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサン
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a composition for silicon-containing-film formation capable of forming a silicon-containing film which retains removability by etching with a fluorine-based gas and is excellent in terms of inhibition of the falling of resist pattern walls; the silicon-containing film; a pattern formation method; and a polysiloxane. The composition for silicon-containing-film formation comprises a polysiloxane having a group represented by formula (1) and a solvent. In formula (1), L is a single bond or a C1-20 (n+1)-valent organic group, E is a group represented by formula (2-1) or (2-2), Y1 is an (un)substituted C6-20 aryl group or a C1-20 monovalent aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom has been replaced with an electron-attracting group, and Y2 is an (un)substituted C6-20 arylenediyl group or a C1-20 divalent aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom has been replaced with an electron-attracting group.
(FR) La présente invention a pour objet de réaliser : une composition pour la formation de film contenant du silicium capable de former un film contenant du silicium qui conserve l'aptitude à l'enlèvement par gravure avec un gaz à base de fluor et qui est excellent en termes d'inhibition de la chute des parois de motif de réserve ; le film contenant du silicium ; un procédé de formation de motif ; et un polysiloxane. La composition pour la formation de film contenant du silicium comprend un polysiloxane ayant un groupe représenté par la formule (1) et un solvant. Dans la formule (1), L est une liaison simple ou un groupe organique en C1-20 (n+1)-valent, E est un groupe représenté par la formule (2-1) ou (2-2), Y1 est un groupe aryle (non) substitué en C6-20 ou un groupe hydrocarboné aliphatique monovalent en C1-20 dans lequel un atome d'hydrogène a été remplacé par un groupe attirant les électrons, et Y2 est un groupe arylénediyle (non) substitué en C6-20 ou un groupe hydrocarboné aliphatique divalent en C1-20 dans lequel un atome d'hydrogène a été remplacé par un groupe attirant les électrons.
(JA) フッ素系ガスによるエッチング除去性を維持しつつ、レジストパターンの倒壊抑制性に優れるケイ素含有膜を形成することができケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサンの提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される基を有するポリシロキサンと、溶媒とを含有するケイ素含有膜形成用組成物である。下記式(1)中、Lは、単結合又は炭素数1~20の(n+1)価の有機基である。Eは式(2-1)又は(2-2)で表される基である。Yは置換若しくは非置換の炭素数6~20のアリール基又は水素原子が電子求引性基で置換された炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基である。Yは置換若しくは非置換の炭素数6~20のアレーンジイル基又は水素原子が電子求引性基で置換された炭素数1~20の2価の脂肪族炭化水素基である。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)