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1. (WO2018159344) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/159344 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005651
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 19.02.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,A61B 1/04 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
A NÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61
SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
B
DIAGNOSTIC; CHIRURGIE; IDENTIFICATION
1
Instruments pour procéder à l'examen médical de l'intérieur des cavités ou des conduits du corps par inspection visuelle ou photographique, p.ex. endoscopes; Dispositions pour l'éclairage dans ces instruments
04
combinés avec des dispositifs photographiques ou de télévision
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
藤曲 潤一郎 FUJIMAGARI Junichiro; JP
大久保 智弘 OHKUBO Tomohiro; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04013103.03.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, ELECTRONIC DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子、電子機器、および半導体装置
Abrégé :
(EN) This invention pertains to a solid-state imaging element, electronic device, and semiconductor device with which it is possible to reduce surface reflection at a region forming a slit and improve flare characteristics. The solid-state imaging element is provided with: a pixel region in which a plurality of pixels are arranged two-dimensionally as a matrix; a chip mounting region in which a chip is flip-chip mounted; and a dam region disposed around the chip mounting region, the dam region having formed therein one or more slits for damming the outflow of a resin. An OCL similar to the OCL of the pixel region is formed in the dam region. This invention can be applied, e.g., to a solid-state imaging element in which the chip is flip-chip mounted.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie à semiconducteur, un dispositif électronique et un dispositif à semiconducteur avec lesquels il est possible de réduire la réflexion de surface au niveau d'une région formant une fente et d'améliorer les caractéristiques de lumière diffuse. L'élément d'imagerie à semiconducteur comprend : une région de pixels dans laquelle une pluralité de pixels sont disposés de manière bidimensionnelle sous la forme d'une matrice ; une région de montage de puce dans laquelle une puce est montée selon la technique de la puce retournée ; et une région de barrage disposée autour de la région de montage de puce, une ou plusieurs fentes destinées à faire barrage à l'écoulement d'une résine étant formées dans la région de barrage. Une OCL similaire à l'OCL de la région de pixel est formée dans la région de barrage. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un élément d'imagerie à semiconducteur dans lequel la puce est montée selon la technique de la puce retournée.
(JA) 本技術は、スリットを形成する領域の表面反射を低減し、フレア特性を向上させることができるようにする固体撮像素子、電子機器、および半導体装置に関する。 固体撮像素子は、複数の画素が行列状に2次元配置された画素領域と、チップがフリップチップ実装されるチップ実装領域と、チップ実装領域の周囲に配置され、樹脂の流出を堰き止める1以上のスリットが形成されているダム領域とを備える。ダム領域には、画素領域のOCLと同じOCLが形成されている。本技術は、例えば、チップがフリップチップ実装される固体撮像素子等に適用できる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)