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1. (WO2018159246) DISPOSITIF DE MÉMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/159246 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/004279
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 08.02.2018
CIB :
G11C 13/00 (2006.01) ,G11C 11/16 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs : KURODA, Masami; JP
Mandataire : KAMEYA, Yoshiaki; JP
KANEMOTO, Tetsuo; JP
HAGIWARA, Yasushi; JP
MATSUMOTO, Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04073803.03.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND INFORMATION PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS
(JA) 半導体記憶装置及び情報処理装置
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a semiconductor memory device capable of normally reading a value from a memory element and achieving a large capacity. [Solution] A semiconductor memory device according to the present invention is provided with: a memory element; reference elements having a first resistance state for generating a reference potential for determining a value held in the memory element; and a reference element having a second resistance state that is higher than the resistance value of the first resistance state for generating the reference potential. The semiconductor memory device has a configuration in which, when the reference potential is generated, the number of reference elements having the first resistance state is larger.
(FR) [Problème] Fournir un dispositif de mémoire à semi-conducteurs capable de lire normalement une valeur à partir d'un élément de mémoire et d'obtenir une grande capacité. À cet effet, l'invention concerne un dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprenant : un élément de mémoire ; des éléments de référence comportant un premier état de résistance permettant de générer un potentiel de référence pour déterminer une valeur conservée dans l'élément de mémoire ; et un élément de référence comportant un second état de résistance qui est supérieur à la valeur de résistance du premier état de résistance permettant de générer le potentiel de référence. Le dispositif de mémoire à semi-conducteurs comporte une configuration dans laquelle, lorsque le potentiel de référence est généré, le nombre d'éléments de référence comportant le premier état de résistance est plus grand.
(JA) 【課題】記憶素子から正常に値を読み出せるようにして、大容量化を実現することが可能な半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】メモリ素子と、前記メモリ素子に保持された値を判別するためのリファレンス電位を生成するための第1の抵抗状態を有する参照素子と、前記リファレンス電位を生成するための前記第1の抵抗状態の抵抗値より高い第2の抵抗状態を有する参照素子と、を備え、前記リファレンス電位を生成する際には、前記第1の抵抗状態を有する参照素子の数の方を多くするよう構成を有する、半導体記憶装置が提供される。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)