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1. (WO2018159234) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS ET PROCÉDÉ POUR DÉFINIR DE POTENTIEL DE RÉFÉRENCE
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N° de publication : WO/2018/159234 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/004064
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 06.02.2018
CIB :
G11C 13/00 (2006.01) ,G11C 7/14 (2006.01) ,G11C 11/16 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
14
Gestion de cellules factices; Générateurs de tension de référence de lecture
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
黒田 真実 KURODA, Masami; JP
Mandataire :
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04073903.03.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND METHOD FOR SETTING REFERENCE POTENTIAL
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS ET PROCÉDÉ POUR DÉFINIR DE POTENTIEL DE RÉFÉRENCE
(JA) 半導体記憶装置、情報処理装置及びリファレンス電位設定方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a semiconductor memory device capable of setting a highly reliable reference potential. [Solution] A semiconductor memory device according to the present invention is provided with: a resistance element for generating a reference potential to be supplied to a sense amplifier; and a switching unit having at least two states, including a state for generating the reference potential to be supplied to the sense amplifier by injecting an electrical current to the resistance element and a state for supplying an externally generated reference potential to the sense amplifier.
(FR) [Problème] Fournir un dispositif de mémoire à semi-conducteurs capable de définir un potentiel de référence hautement fiable. La solution selon la présente invention porte sur un dispositif de mémoire à semi-conducteurs qui est pourvu : d'un élément de résistance pour générer un potentiel de référence devant être fourni à un amplificateur de détection ; et d'une unité de commutation comportant au moins deux états, comprenant un état pour générer le potentiel de référence à fournir à l'amplificateur de détection par injection d'un courant électrique à l'élément de résistance et un état pour fournir un potentiel de référence généré de manière externe à l'amplificateur de détection.
(JA) 【課題】高い信頼性のあるリファレンス電位を設定することが可能な半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】センスアンプに供給するリファレンス電位を生成する抵抗素子と、前記抵抗素子への電流の注入によりセンスアンプに供給するリファレンス電位を生成する状態と、外部で生成されるリファレンス電位を前記センスアンプに供給する状態と、の少なくとも2つの状態を有するスイッチ部と、を備える、半導体記憶装置が提供される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)