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1. (WO2018159225) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION, DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS ET PROCÉDÉ DE LECTURE
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N° de publication : WO/2018/159225 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/003823
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 05.02.2018
CIB :
G11C 7/06 (2006.01) ,G11C 7/08 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
06
Amplificateurs de lecture; Circuits associés
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
06
Amplificateurs de lecture; Circuits associés
08
Leur commande
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
黒田 真実 KURODA, Masami; JP
Mandataire :
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04074003.03.2017JP
Titre (EN) SENSE AMPLIFIER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND READING METHOD
(FR) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION, DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS ET PROCÉDÉ DE LECTURE
(JA) センスアンプ、半導体記憶装置、情報処理装置及び読み出し方法
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a sense amplifier that enables a semiconductor memory device to have a larger capacity, higher speed, and higher data rate. [Solution] A sense amplifier according to the present invention is provided with: first and second inverters that have a switch for controlling an active state and a non-active state and in which respective inputs and outputs are cross-coupled; and first and second switches for switching between connection and disconnection of an input from a memory element on the respective cross-coupled signal lines.
(FR) [Problème] Fournir un amplificateur de détection qui permet à un dispositif de mémoire à semi-conducteurs de comporter d'une plus grande capacité, d'une vitesse plus élevée et d'un débit de données plus élevé. La solution selon la présente invention porte sur un amplificateur de détection qui comprend : des premier et second onduleurs qui comportent un commutateur afin de commander un état actif et un état non actif et dans lesquels des entrées et des sorties respectives sont couplées en croix ; et des premier et second commutateurs pour commuter entre la connexion et la déconnexion d'une entrée d'un élément de mémoire sur les lignes de signal couplées transversalement respectives.
(JA) 【課題】半導体記憶装置の大容量化や高速化、データレート向上を実現することが可能なセンスアンプを提供する。 【解決手段】活性状態と非活性状態とを制御するスイッチを備え、それぞれの入力と出力とがクロスカップル接続された第1及び第2のインバータと、前記クロスカップルされた信号線のそれぞれに、記憶素子からの入力に対する接続と遮断とを切り替える第1及び第2のスイッチと、を備える、センスアンプが提供される。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)