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1. (WO2018159217) FEUILLE D'ÉTANCHÉITÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/159217 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/003726
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 05.02.2018
CIB :
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
Déposants :
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
Inventeurs :
根津 裕介 NEZU Yusuke; JP
杉野 貴志 SUGINO Takashi; JP
Mandataire :
早川 裕司 HAYAKAWA Yuzi; JP
村雨 圭介 MURASAME Keisuke; JP
飯田 理啓 IIDA Michihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04057603.03.2017JP
Titre (EN) SEALING SHEET AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FEUILLE D'ÉTANCHÉITÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 封止シート、および半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) A sealing sheet 1 which is used for sealing of a semiconductor chip 2 built in a substrate or a semiconductor chip 2 on an adhesive sheet 8 in a method for producing a semiconductor device, said method comprising a treatment step wherein an alkaline solution is used. This sealing sheet 1 is provided with at least a curable adhesive layer 11; and the adhesive layer 11 is formed from an adhesive composition that contains a thermosetting resin, a thermoplastic resin and an inorganic filler which is surface-treated with a surface treatment agent and has a minimum cover area of from 550 m2/g to 1,500 m2/g (inclusive). With respect to this sealing sheet 1, the inorganic filler is not likely to fall off from a cured layer 11'.
(FR) La présente invention concerne une feuille d'étanchéité (1) qui est destinée à sceller une puce semi-conductrice (2) intégrée dans un substrat ou une puce semi-conductrice (2) sur une feuille adhésive (8) dans un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteurs, ledit procédé comprenant une étape de traitement dans laquelle une solution alcaline est utilisée. Ladite feuille d'étanchéité (1) est pourvue d'au moins une couche adhésive durcissable (11) ; et la couche adhésive (11) est constituée d'une composition adhésive qui contient une résine thermodurcissable, une résine thermoplastique et une charge inorganique qui est traitée en surface au moyen d'un agent de traitement de surface et présente une zone de couverture comprise entre 550 m2/g et 1,500 m2/g (inclus). Par rapport à cette feuille d'étanchéité (1), la charge inorganique n'est pas susceptible de tomber d'une couche durcie (11').
(JA) アルカリ性溶液を用いた処理工程を有する半導体装置の製造方法において、基板内に内蔵される半導体チップ2の封止または粘着シート8上における半導体チップ2の封止に用いられる封止シート1であって、封止シート1は、少なくとも硬化性の接着剤層11を備え、接着剤層11は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、および最小被覆面積が550m/g以上、1500m/g以下である表面処理剤により表面処理された無機フィラーを含有する接着剤組成物から形成されたものである封止シート1。かかる封止シート1は、硬化層11'から無機フィラーが脱離し難い。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)