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1. (WO2018159193) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/159193 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/003029
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 30.01.2018
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,G03F 1/82 (2012.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68
Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
82
Procédés auxiliaires, p.ex. nettoyage ou inspection
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
武明 励 TAKEAKI, Rei; JP
前川 直嗣 MAEGAWA, Tadashi; JP
安藤 幸嗣 ANDO, Koji; JP
石井 弘晃 ISHII, Hiroaki; JP
安武 陽介 YASUTAKE, Yosuke; JP
Mandataire :
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Données relatives à la priorité :
2017-03756028.02.2017JP
2017-03756128.02.2017JP
2017-03756328.02.2017JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
Abrégé :
(EN) Provided is a substrate processing method comprising: a substrate rotating step for rotating a substrate, which has at least a portion of a circumferential end being an arc-shape, at a predetermined processing rotation speed around an axis of rotation passing through the center of the substrate; a processing-liquid discharging step, performed in parallel with the substrate rotating step, for discharging a processing liquid from a processing-liquid nozzle toward an outer periphery of the substrate; and a position adjusting step which is performed in parallel with the substrate rotating step and the processing-liquid discharging step, and in which a liquid adhesion position at which the processing liquid adheres to such liquid adhesion position and/or a position of an inner peripheral end is adjusted to a position corresponding to the processing rotation speed.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une étape de rotation de substrat pour faire tourner un substrat, dont au moins une portion d'une extrémité circonférentielle est en forme d'arc, à une vitesse de rotation de traitement prédéterminée autour d'un axe de rotation qui passe par le centre du substrat ; une étape d'évacuation de liquide de traitement, exécutée parallèlement à l'étape de rotation de substrat, pour évacuer un liquide de traitement depuis une buse de liquide de traitement vers une périphérie externe du substrat ; et une étape de réglage de position qui est exécutée parallèlement à l'étape de rotation de substrat et à l'étape d'évacuation de liquide de traitement, et dans laquelle une position d'adhérence de liquide au niveau de laquelle le liquide de traitement adhère à une telle position d'adhérence de liquide et/ou une position d'une extrémité périphérique interne est réglée sur une position correspondant à la vitesse de rotation de traitement.
(JA) 基板処理方法は、周端の少なくとも一部が円弧状をなす基板を、当該基板の中央部を通る回転軸線周りに、所定の処理回転速度で回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の外周部に向けて前記処理液ノズルから処理液を吐出する処理液吐出工程と、前記基板回転工程および前記処理液吐出工程に並行して、前記着液位置に着液している処理液の着液位置および/または内周端の位置を、前記処理回転速度に対応する位置に調整する位置調整工程とを含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)