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1. (WO2018159152) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/159152    International Application No.:    PCT/JP2018/001799
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 23 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 23/29
H01L 23/31
H01L 23/48
H01L 25/07
H01L 25/18
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TAKABATAKE, Mao
▲高▼畠 麻緒
TSURIMOTO, Takao
釣本 崇夫
HAYASHIDA, Yukimasa
林田 幸昌
SHIOTA, Hiroki
塩田 裕基
TAJIRI, Kunihiko
田尻 邦彦
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui peut supprimer la production d'une décharge partielle même lorsqu'un décollement partiel se produit dans des éléments périphériques d'une électrode haute tension. Ce dispositif semi-conducteur (1) comprend : un substrat isolant (4) ayant une propriété isolante ; un premier élément (3) disposé sur une surface du substrat isolant (4) ; une puce semi-conductrice (2) disposée sur une surface de côté envers du premier élément (3), la surface de côté envers faisant face au substrat isolant (4) ; un deuxième élément (5) disposé sur l'autre surface du substrat isolant (4) ; une première couche de revêtement (11) qui recouvre la section d'extrémité périphérique extérieure du premier élément (3) ; une deuxième couche de revêtement (12) qui recouvre une région s'étendant de la surface de côté envers du premier élément (3) à la surface de la première couche de revêtement (11) et à la surface du substrat isolant (4) ; et un élément d'étanchéité (7) qui scelle le substrat isolant (4), le premier élément (3), la puce semi-conductrice (2), le deuxième élément (5), la première couche de revêtement (11) et la deuxième couche de revêtement (12). La constante diélectrique de la première couche de revêtement (11) est supérieure à celle de la deuxième couche de revêtement (12). La force adhésive entre la première couche de revêtement (11) et la deuxième couche de revêtement (12) est supérieure à celle entre la première couche de revêtement (11) et le premier élément (3).