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1. (WO2018159138) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
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N° de publication : WO/2018/159138 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/001423
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 18.01.2018
CIB :
H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
Inventeurs :
犬伏 和海 INUBUSHI Kazuumi; JP
中田 勝之 NAKADA Katsuyuki; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-04052703.03.2017JP
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果素子
Abrégé :
(EN) This magnetoresistance effect element is provided with: a first ferromagnetic layer which serves as a fixed magnetization layer; a second ferromagnetic layer which serves as a free magnetization layer; and a non-magnetic spacer layer provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. The non-magnetic spacer layer is provided with: a non-magnetic metal layer comprising Ag; and at least one from among a first non-magnetic insertion layer provided to the lower surface of the non-magnetic metal layer, and a second non-magnetic insertion layer provided to the upper surface of the non-magnetic metal layer. The first non-magnetic insertion layer and the second non-magnetic insertion layer include an Ag alloy. As a result, lattice mismatch between the non-magnetic spacer layer and the first ferromagnetic layer and/or the second ferromagnetic layer is smaller than the lattice mismatch when the whole non-magnetic spacer layer comprises Ag.
(FR) L'invention concerne un élément à effet magnétorésistif qui comprend : une première couche ferromagnétique qui sert de couche de magnétisation fixe ; une seconde couche ferromagnétique qui sert de couche de magnétisation libre ; et une couche d'espacement amagnétique disposée entre la première couche ferromagnétique et la seconde couche ferromagnétique. La couche d'espacement amagnétique comprend : une couche métallique amagnétique comprenant Ag ; et une première couche d'insertion amagnétique disposée sur la surface inférieure de la couche métallique amagnétique et/ou une seconde couche d'insertion amagnétique disposée sur la surface supérieure de la couche métallique amagnétique. La première couche d'insertion amagnétique et la seconde couche d'insertion amagnétique comprennent un alliage d'Ag. Par conséquent, une désadaptation de réseau entre la couche d'espacement amagnétique et la première couche ferromagnétique et/ou la seconde couche ferromagnétique est inférieure à la désadaptation de réseau lorsque la totalité de la couche d'espacement amagnétique comprend Ag.
(JA) 磁気抵抗効果素子は、磁化固定層としての第一の強磁性層と、磁化自由層としての第二の強磁性層と、第一の強磁性層と第二の強磁性層との間に設けられた非磁性スペーサ層と、を備え、非磁性スペーサ層は、Agからなる非磁性金属層と、当該非磁性金属層の下面に設けられる第一の非磁性挿入層及び当該非磁性金属層の上面に設けられる第二の非磁性挿入層の少なくとも一つとを有し、第一の非磁性挿入層及び第二の非磁性挿入層は、Ag合金を含み、それにより非磁性スペーサ層と、第一の強磁性層及び/又は第二の強磁性層との間の格子不整合は、非磁性スペーサ層全体がAgからなるときの格子不整合に比べて小さくなる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)