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1. (WO2018159115) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/159115    International Application No.:    PCT/JP2018/000825
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 16 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/52
B22F 1/00
B22F 7/06
B22F 7/08
Applicants: KYOCERA CORPORATION
京セラ株式会社
Inventors: FUJIWARA Masakazu
藤原 正和
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, comprenant : une étape d'application consistant à appliquer, sur un élément de support d'élément semi-conducteur, une composition de résine adhésive contenant une résine thermodurcissable et des microparticules d'argent ayant un diamètre moyen de particule de 10 à 200 nm et ayant une couche protectrice constituée d'un composé organique sur la surface ; une étape de semi-frittage consistant à chauffer la composition de résine adhésive appliquée, à une température inférieure à la température de début de réaction de la résine thermodurcissable et supérieure ou égale à 50 °C, de sorte que les microparticules d'argent atteignent un état semi-fritté ; et une étape de jonction consistant à placer un élément semi-conducteur sur la composition de résine adhésive contenant les microparticules d'argent dans un état semi-fritté, effectuer un chauffage dans un état non pressurisé à une température supérieure à la température de début de réaction de la résine thermodurcissable, et assembler l'élément semi-conducteur sur l'élément de support de semi-conducteur.