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1. (WO2018159111) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/159111 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/000633
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 12.01.2018
CIB :
H03H 9/64 (2006.01) ,H03H 3/08 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/72 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
64
utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
08
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
125
Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145
pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
70
Réseaux à plusieurs accès pour connecter plusieurs sources ou charges, fonctionnant sur des fréquences ou dans des bandes de fréquence différentes, à une charge ou à une source commune
72
Réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
安田 潤平 YASUDA, Junpei; JP
Mandataire :
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2017-03618028.02.2017JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is an acoustic wave device that is capable of achieving miniaturization and high productivity. An acoustic wave device 10 is provided with: a piezoelectric substrate 2 (substrate having piezoelectricity); a first bandpass type filter 1A (first filter) that has a first passband and that is formed on the piezoelectric substrate 2; and a second bandpass type filter 1B (second filter) that has a second passband on the high frequency side of the first passband and that is formed on the piezoelectric substrate 2. The first bandpass type filter 1A and the second bandpass type filter 1B each have a resonator that includes an IDT electrode. When the average value of the duty ratios of all the IDT electrodes is defined as a first all-averaged duty ratio and the average value of the duty ratios of all the IDT electrodes in the second filter is defined as a second all-averaged duty ratio, the first all-averaged duty ratio is larger than the second all-averaged duty ratio.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à ondes acoustiques qui permet d'obtenir une miniaturisation et une productivité élevée. Un dispositif à ondes acoustiques (10) est pourvu : d'un substrat piézoélectrique (2) (substrat ayant une piézoélectricité) ; d'un premier filtre de type bande passante (1A) (premier filtre) qui a une première bande passante et qui est formée sur le substrat piézoélectrique (2) ; et un second filtre de type bande passante (1B) (second filtre) qui a une seconde bande passante sur le côté haute fréquence de la première bande passante et qui est formé sur le substrat piézoélectrique (2). Le premier filtre de type bande passante (1A) et le second filtre de type bande passante (1B) ont chacun un résonateur qui comprend une électrode IDT. Lorsque la valeur moyenne des rapports cycliques de toutes les électrodes IDT est définie comme étant un premier rapport cyclique de l'ensemble en moyenne et que la valeur moyenne des rapports cycliques de toutes les électrodes IDT dans le second filtre est définie comme un second rapport cyclique de l'ensemble en moyenne, le premier rapport cyclique de l'ensemble en moyenne est supérieur au second rapport cyclique de l'ensemble en moyenne.
(JA) 小型化、かつ生産性を高めることができる、弾性波装置を提供する。 弾性波装置10は、圧電基板2(圧電性を有する基板)と、圧電基板2上において構成されており、第1の通過帯域を有する第1の帯域通過型フィルタ1A(第1フィルタ)と、圧電基板2上において構成されており、かつ第1の通過帯域よりも高域側に位置する第2の通過帯域を有する第2の帯域通過型フィルタ1B(第2フィルタ)とを備える。第1の帯域通過型フィルタ1A及び第2の帯域通過型フィルタ1BがそれぞれIDT電極を含む共振子を有し、全てのIDT電極のデューティ比の平均値を第1の全平均デューティ比とし、第2フィルタの全てのIDT電極のデューティ比の平均値を第2の全平均デューティ比としたときに、第1の全平均デューティ比が第2の全平均デューティ比より大きい。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)