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1. (WO2018159109) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM ET APPAREIL DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/159109 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/000518
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 11.01.2018
CIB :
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/04 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
02
en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
04
avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction np
Déposants :
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
Inventeurs :
杉村 渉 SUGIMURA Wataru; JP
宝来 正隆 HOURAI Masataka; JP
Mandataire :
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-03761328.02.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT AND SILICON SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM ET APPAREIL DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置
Abrégé :
(EN) Provided are: a method for manufacturing an n-type high-resistance silicon single crystal ingot which is suitable for use as a power device and has a small tolerance of resistivity in the crystal growth direction; and a silicon single crystal growing apparatus. The present invention pertains to a method for manufacturing a silicon single crystal ingot, in which Sb or As is used as an n-type dopant, by means of a silicon single crystal growing apparatus using the Czochralski process, the method comprising: a measuring step for measuring the gas concentration of a compound gas containing the n-type dopant as a constituent element while pulling up a silicon single crystal ingot 1; and a pull-up condition value adjustment step for adjusting pull-up condition values such that the measured gas concentration falls within the range of a target gas concentration, the pull-up condition values including at least one of the pressure in a chamber 30, the flow rate of Ar gas, and the gap G between a guiding portion 70 and a silicon melt 10.
(FR) L'invention concerne : un procédé de fabrication d'un lingot monocristallin de silicium haute résistance de type n qui est approprié pour une utilisation en tant que dispositif d'alimentation et qui présente une faible tolérance de résistivité dans la direction de croissance cristalline ; et un appareil de croissance de monocristal de silicium. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot monocristallin de silicium, dans lequel du Sb ou de l'As est utilisé comme dopant de type n, au moyen d'un appareil de croissance de monocristal de silicium utilisant le procédé Czochralski, le procédé comprenant : une étape de mesure servant à mesurer la concentration en gaz d'un gaz composé contenant le dopant de type n en tant qu'élément constitutif tout en tirant vers le haut un lingot monocristallin de silicium (1) ; et une étape de réglage de la valeur de la condition de tirage vers le haut pour ajuster des valeurs de condition de tirage vers le haut de telle sorte que la concentration en gaz mesurée tombe dans la plage d'une concentration cible en gaz, les valeurs de condition de tirage vers le haut comprenant au moins l'un parmi la pression dans une chambre (30), le débit de gaz Ar, et l'espace G entre une partie de guidage (70) et une masse fondue de silicium (10).
(JA) パワーデバイスに供して好適な、結晶成長方向における比抵抗の公差の小さいn型で高抵抗のシリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置を提供する。 チョクラルスキー法を用いるシリコン単結晶育成装置によりSbまたはAsをn型ドーパントとするシリコン単結晶インゴットの製造方法において、シリコン単結晶インゴット1の引き上げを行いながら、前記n型ドーパントを構成元素に含む化合物ガスのガス濃度を測定する測定工程と、前記測定したガス濃度が目標ガス濃度の範囲内に入るようにチャンバ30内の圧力、Arガスの流量、ならびに誘導部70およびシリコン融液10の間隔Gの少なくともいずれか1つを含む引き上げ条件値を調整する引き上げ条件値調整工程とを行う。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)