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1. (WO2018158934) LASER À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/158934 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/008495
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 03.03.2017
CIB :
H01S 5/042 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
04
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042
Excitation électrique
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
楠 政諭 KUSUNOKI, Masatsugu; JP
宮下 宗治 MIYASHITA, Motoharu; JP
Mandataire :
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) LASER À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体レーザ及びその製造方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor laminated structure (8) has resonator end surfaces that are facing each other. An electrode (10) is formed on the semiconductor laminated structure (8). A gold plating layer (11) is formed on the electrode (10). The semiconductor laminated structure (8) has a light emitting stripe region (18) formed between the resonator end surfaces (14), and non-light emitting regions (19) formed on both sides of the light emitting stripe region (18). The electrode (10) is formed over the light emitting stripe region (18) and the non-light emitting regions (19), and in the light emitting stripe region (18), the electrode is removed at areas close to the resonator end surfaces (14), and in the non-light emitting region (19), the electrode is formed to reach the resonator end surfaces (14).
(FR) L'invention concerne une structure stratifiée semiconductrice (8) ayant des surfaces d'extrémité de résonateur qui se font face les unes aux autres. Une électrode (10) est formée sur la structure stratifiée semiconductrice (8). Une couche de placage d'or (11) est formée sur l'électrode (10). La structure stratifiée semiconductrice (8) a une région de bande électroluminescente (18) formée entre les surfaces d'extrémité de résonateur (14), et des régions non électroluminescentes (19) formées sur les deux côtés de la région de bande électroluminescente (18). L'électrode (10) est formée sur la région de bande électroluminescente (18) et les régions non électroluminescentes (19), et dans la région de bande électroluminescente (18), l'électrode est retirée au niveau de zones proches des surfaces d'extrémité de résonateur (14), et dans la région non électroluminescente (19), l'électrode est formée pour atteindre les surfaces d'extrémité de résonateur (14).
(JA) 半導体積層構造(8)は対向する共振器端面を有する。電極(10)が半導体積層構造8)の上に形成されている。金メッキ層(11)が電極(10)の上に形成されている。半導体積層構造(8)は、共振器端面(14)の間に形成された発光ストライプ領域(18)と、発光ストライプ領域(18)の両脇に形成された非発光領域(19)とを有する。電極(10)は、発光ストライプ領域(18)及び非発光領域(19)に跨って形成され、発光ストライプ領域(18)では共振器端面(14)の付近で除去され、非発光領域19)では共振器端面(14)まで形成されている。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)