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1. (WO2018158899) SYSTÈME LASER À SEMI-CONDUCTEURS ET SYSTÈME DE CONVERSION DE LONGUEUR D'ONDE
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N° de publication : WO/2018/158899 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/008220
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 02.03.2017
CIB :
G02F 1/37 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
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Optique non linéaire
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pour la génération de l'harmonique deux
Déposants :
ギガフォトン株式会社 GIGAPHOTON INC. [JP/JP]; 栃木県小山市大字横倉新田400番地 400, Oaza Yokokurashinden, Oyama-shi, Tochigi 3238558, JP
Inventeurs :
小野瀬 貴士 ONOSE, Takashi; JP
Mandataire :
保坂 延寿 HOSAKA, Nobuhisa; 東京都千代田区神田佐久間町3‐22 神田SKビル4階 新井・橋本・保坂国際特許事務所 ARAI, HASHIMOTO, HOSAKA & ASSOCIATES, KANDA SK BLDG. 4F, 3-22, KANDA SAKUMA-CHO, CHIYODA-KU, TOKYO 1010025, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLID-STATE LASER SYSTEM AND WAVELENGTH CONVERSION SYSTEM
(FR) SYSTÈME LASER À SEMI-CONDUCTEURS ET SYSTÈME DE CONVERSION DE LONGUEUR D'ONDE
(JA) 固体レーザシステム、及び波長変換システム
Abrégé :
(EN) A solid-state laser system according to the present disclosure comprises: a first solid-state laser device for outputting first pulse laser light with a first wavelength; a second solid-state laser device for outputting second pulse laser light with a second wavelength; a first nonlinear crystal, which is arranged on a first optical path along which the first pulse laser light and the second pulse laser light travel, for converting the wavelengths of the first pulse laser light and the second pulse laser light into a third pulse laser light with a third wavelength via a sum frequency generation process and outputting the third pulse laser light; and a second nonlinear crystal, which is arranged on a second optical path along which the second pulse laser light and the third pulse laser light travel, for converting the wavelengths of the second pulse laser light and the third pulse laser light into a fourth pulse laser light with a fourth wavelength via a sum frequency generation process and outputting the fourth pulse laser light. The second pulse laser light is caused to enter the second nonlinear crystal at a first timing before the second pulse laser light is incident on the first nonlinear crystal, and the portion of the second pulse laser light that is unused in the sum frequency generation process and passes through the second nonlinear crystal is caused to enter the first nonlinear crystal at a second timing after the first timing.
(FR) Un système laser à semi-conducteurs selon la présente invention comprend : un premier dispositif laser à semi-conducteurs pour émettre une première lumière laser à impulsions ayant une première longueur d'onde ; un deuxième dispositif laser à semi-conducteurs pour émettre une deuxième lumière laser à impulsions ayant une deuxième longueur d'onde ; un premier cristal non linéaire, qui est agencé sur un premier trajet optique le long duquel la première lumière laser à impulsions et la deuxième lumière laser à impulsions se déplacent, pour convertir les longueurs d'onde de la première lumière laser à impulsions et de la deuxième lumière laser à impulsions en une troisième lumière laser à impulsions ayant une troisième longueur d'onde par l'intermédiaire d'un processus de génération de fréquence somme et délivrer en sortie la troisième lumière laser à impulsions ; et un second cristal non linéaire, qui est disposé sur un second trajet optique le long duquel la deuxième lumière laser à impulsions et la troisième lumière laser à impulsions se déplacent, pour convertir les longueurs d'onde de la deuxième lumière laser à impulsions et de la troisième lumière laser à impulsions en une quatrième lumière laser impulsions ayant une quatrième longueur d'onde par l'intermédiaire d'un processus de génération de fréquence somme et délivrer en sortie la quatrième lumière laser à impulsions. La deuxième lumière laser à impulsions est amenée à entrer dans le second cristal non linéaire à une première synchronisation avant que la deuxième lumière laser à impulsions ne soit incidente sur le premier cristal non linéaire, et la partie de la deuxième lumière laser à impulsions qui est inutilisée dans le processus de génération de fréquence somme et passe à travers le second cristal non linéaire est amenée à entrer dans le premier cristal non linéaire à une seconde synchronisation après la première synchronisation.
(JA) 本開示による固体レーザシステムは、第1の波長の第1のパルスレーザ光を出力する第1の固体レーザ装置と、第2の波長の第2のパルスレーザ光を出力する第2の固体レーザ装置と、第1のパルスレーザ光と第2のパルスレーザ光とが進む第1の光路上に配置され、第1のパルスレーザ光と第2のパルスレーザ光とを、和周波発生過程により第3の波長の第3のパルスレーザ光へと波長変換して出力する第1の非線形結晶と、第2のパルスレーザ光と第3のパルスレーザ光とが進む第2の光路上に配置され、第2のパルスレーザ光と第3のパルスレーザ光とを、和周波発生過程により第4の波長の第4のパルスレーザ光へと波長変換して出力する第2の非線形結晶とを備え、第2のパルスレーザ光を、第1の非線形結晶に入射させる前の第1のタイミングで第2の非線形結晶に入射させ、第2のパルスレーザ光のうち和周波発生過程で使われずに第2の非線形結晶を通過した残余光を第1のタイミングよりも遅い第2のタイミングで第1の非線形結晶に入射させる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)