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1. (WO2018158807) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTÈME DE CONVERSION DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/158807 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/007708
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 28.02.2017
CIB :
H03K 17/08 (2006.01) ,H03K 17/567 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
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Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
吉田 健太郎 YOSHIDA Kentaro; JP
日山 一明 HIYAMA Kazuaki; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION SYSTEM
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTÈME DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置、および、電力変換システム
Abrégé :
(EN) The present invention suppresses erroneous operation of an overcurrent protection circuit caused by the rise of a sense voltage during a mirror period immediately after turning-off of a semiconductor switching element. This semiconductor device is provided with: a semiconductor switching element 12; a sense resistor 16; an overcurrent protection circuit 104 that outputs a control signal for controlling on-driving and off-driving of the semiconductor switching element 12 on the basis of whether the sense voltage exceeds a threshold value; and a diode 36 that clamps the sense voltage. The overcurrent protection circuit 104 outputs, as the control signal, a signal for off-driving the semiconductor switching element 12 when the sense voltage exceeds the threshold value.
(FR) La présente invention supprime le fonctionnement erroné d'un circuit de protection contre les surintensités provoqué par l'augmentation d'une tension de détection pendant une période de miroir immédiatement après l'arrêt d'un élément de commutation à semi-conducteur. Ce dispositif à semi-conducteur est pourvu de : un élément de commutation à semi-conducteur 12 ; une résistance de détection 16 ; un circuit de protection contre les surintensités 104 qui délivre en sortie un signal de commande pour commander la mise en marche et l'arrêt de l'élément de commutation à semi-conducteur 12 selon que la tension de détection dépasse ou non une valeur seuil ; et une diode 36 qui cale la tension de détection. Le circuit de protection contre les surintensités 104 délivre en sortie, en tant que signal de commande, un signal pour éteindre l'élément de commutation à semi-conducteur 12 lorsque la tension de détection dépasse la valeur seuil.
(JA) 半導体スイッチング素子のターンオフ直後のミラー期間におけるセンス電圧の上昇によって生じる、過電流保護回路の誤動作を抑制する。半導体装置は、半導体スイッチング素子12と、センス抵抗16と、センス電圧がしきい値を超えるか否かに基づいて、半導体スイッチング素子12のオン駆動およびオフ駆動を制御する制御信号を出力する過電流保護回路104と、センス電圧をクランプするダイオード36とを備える。過電流保護回路104は、センス電圧がしきい値を超える場合、半導体スイッチング素子12をオフ駆動させる信号を制御信号として出力する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)