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1. (WO2018158726) COMMANDE DE COMMUTATION HYBRIDE
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N° de publication : WO/2018/158726 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/051316
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 01.03.2018
CIB :
H03K 17/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
12
Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
Déposants :
HELLA GMBH & CO. KGAA [DE/DE]; Rixbecker Straße 75 59552 Lippstadt, DE
Inventeurs :
KÖRNER, André; DE
Données relatives à la priorité :
62/466,32602.03.2017US
Titre (EN) HYBRID SWITCH CONTROL
(FR) COMMANDE DE COMMUTATION HYBRIDE
Abrégé :
(EN) A hybrid switch apparatus includes a standard semiconductor switch and a fast semiconductor switch electrically arranged in parallel to form a joint output current path for carrying a load current. The standard switch may be a silicon (Si) MOSFET while the fast switch may be a GaN high electron mobility transistor (HEMT). A means for producing first and second gate drive signals includes a pulse former. The first gate drive signal is applied the standard switch for selectively turning the standard switch on and off. The pulse former outputs the second gate drive signal for driving the fast switch, where the pulse former generates the second gate drive signal as a switch-on pulse starting synchronously with each transition of the first gate drive signal and which generates the second gate drive signal in an OFF state in between pulses to avoid incurring a conduction loss in the fast switch.
(FR) L'invention concerne un appareil de commutation hybride qui comprend un commutateur à semi-conducteur standard et un commutateur à semi-conducteur rapide, agencés électriquement en parallèle de façon à former un trajet de courant de sortie commun afin de transporter un courant de charge. Le commutateur standard peut être un transistor MOS au silicium (Si) alors que le commutateur rapide peut être un transistor à mobilité d'électrons élevée (HEMT) au GaN. Un moyen de production de premier et second signaux de commande de grille comprend un générateur d'impulsions. Le premier signal de commande de grille est appliqué au commutateur standard de façon à mettre sélectivement sous tension et hors tension ce dernier. Le générateur d'impulsions émet le second signal de commande de grille de façon à commander le commutateur rapide, le générateur d'impulsions générant le second signal de commande de grille sous forme d'une impulsion de mise sous tension débutant de manière synchrone avec chaque transition du premier signal de commande de grille et générant le second signal de commande de grille dans un état hors tension entre les impulsions de manière à éviter une perte de conduction dans le commutateur rapide.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)