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1. (WO2018158529) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DONNEUR POUR LA FORMATION DE DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES
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N° de publication : WO/2018/158529 N° de la demande internationale : PCT/FR2018/050446
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 26.02.2018
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/762 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
Déposants :
SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 BERNIN, FR
Inventeurs :
SOTTA, David; FR
Mandataire :
BREESE, Pierre; FR
Données relatives à la priorité :
175166601.03.2017FR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE FOR MAKING OPTOELECTRONIC DEVICES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DONNEUR POUR LA FORMATION DE DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for preparing a crystalline semiconductor layer in order for the layer to be provided with a specific lattice parameter. Said method involves a relaxation procedure which is applied for a first time to a first starting donor substrate (1) in order to obtain a second donor substrate (5). Using the second donor substrate (5) as the starting donor substrate (1), the relaxation procedure is repeated for a number of times that is sufficient for the lattice parameter of the relaxed layer to be provided with the specific lattice parameter. The invention also relates to a set (10) of substrates (5') obtained by said method.
(FR) L'invention porte sur un procédé de préparation d'une couche de semi-conducteur cristallin pour qu'elle présente un paramètre de maille déterminé. Le procédé met en œuvre une séquence de relaxation appliquée une première fois sur un premier substrat donneur de départ (1) pour fournir un second substrat donneur (5). La séquence de relaxation est répétée, en prenant le second substrat donneur (5) comme substrat donneur de départ (1), un nombre suffisant de fois pour que le paramètre de maille de la couche relaxée présente le paramètre de maille déterminé. L'invention porte également sur une collection (10) de substrats (5' ) issus de ce procédé.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)