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1. (WO2018158413) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE JONCTION PEU PROFONDE DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/158413 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/055147
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 02.03.2018
CIB :
H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
LASER SYSTEMS & SOLUTIONS OF EUROPE [FR/FR]; Bât. D 14-38 rue Alexandre 92230 GENNEVILLIERS, FR
Inventeurs :
MAZZAMUTO, Fulvio; FR
Mandataire :
CHAUVIN, Vincent; FR
ORSINI, Fabienne; FR
LE CACHEUX, Samuel; FR
BLAYO, Nadine; FR
BONNANS, Arnaud; FR
CANUEL, Clélia; FR
CATHERINE, Alain; FR
DE CACQUERAY-VALMENIER, Stanislas; FR
DEVIC, David; FR
LE BIHAN, Jean-Michel; FR
LIENARD, Céline; FR
Données relatives à la priorité :
17159268.603.03.2017EP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A SHALLOW JUNCTION IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE JONCTION PEU PROFONDE DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) The method comprises the steps of: a) bombarding a first face (1a) of the semiconductor substrate (1) with ions so as to implant ions into said semiconductor substrate and to form an ion implanted region (4) having a predetermined implantation depth; and b) irradiating said first face with a pulsed laser beam so as to melt said semiconductor substrate to at least the predetermined implantation depth; characterized in that said pulsed laser beam has an energy density and a pulse duration selected to form within said ion implanted region (4) a first layer (6) extending from the first face (1a) and including implanted ions and contaminants having diffused therein and a second layer extending from the first layer (6) deeper into the semiconductor substrate and including implanted ions and contaminants in an atomic concentration of contaminants lower than 1018 at/cm3 and in that it further comprises a step c) of removing at least said first layer (6) from the semiconductor substrate, said junction being formed at the interface between said second layer (7) and a subjacent non-molten part of the semiconductor substrate (1).
(FR) Le procédé selon l'invention comprend les étapes consistant à : a) bombarder une première face (1a) du substrat semi-conducteur (1) avec des ions de manière à implanter des ions dans ledit substrat semi-conducteur et former une région d'implantation ionique (4) ayant une profondeur d'implantation prédéterminée; et b) irradier ladite première face avec un faisceau laser pulsé de manière à faire fondre ledit substrat semi-conducteur jusqu'à au moins la profondeur d'implantation prédéterminée; caractérisé en ce que ledit faisceau laser pulsé présente une densité d'énergie et une durée d'impulsion choisies pour former à l'intérieur de ladite région d'implantation ionique (4) une première couche (6) s'étendant à partir de la première face (1a) et comprenant des ions implantés et des contaminants diffusés à l'intérieur de celle-ci, et une seconde couche s'étendant à partir de la première couche (6) plus profondément dans le substrat semi-conducteur et comprenant des ions implantés et des contaminants à une concentration atomique de contaminants inférieure à 1018 at/cm3 et en ce qu'il comprend en outre une étape c) d'élimination d'au moins ladite première couche (6) du substrat semi-conducteur, ladite jonction étant formée à l'interface entre ladite seconde couche (7) et une partie non fondue sous-jacente du substrat semi-conducteur (1).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)