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1. (WO2018158329) DISPOSITIF SOURCE D'IONS
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N° de publication : WO/2018/158329 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/054956
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 28.02.2018
CIB :
H01J 37/08 (2006.01) ,H01J 27/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02
Détails
04
Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
08
Sources d'ions; Canons à ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
27
Tubes à faisceau ionique
02
Sources d'ions; Canons à ions
20
utilisant un bombardement de particules, p.ex. ioniseurs
Déposants :
LUXEMBOURG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (LIST) [LU/LU]; 5, avenue des Hauts-Fourneaux 4362 Esch/Alzette, LU
Inventeurs :
DE CASTRO, Olivier; LU
DELLA-NEGRA, Serge; FR
DOWSETT, David; LU
WIRTZ, Tom; LU
Mandataire :
WAGNER, Jean-Paul; LU
Données relatives à la priorité :
LU10010928.02.2017LU
Titre (EN) ION SOURCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF SOURCE D'IONS
Abrégé :
(EN) The invention provides an electron- impact ion source device having high brightness as compared to known Nier-type ion sources, while providing similar advantages in terms of flexibility of the generated ion species, for example. The ionization chamber of the device operates at high pressures and provides for a large number of interactions between the electron beam and the gas molecules.
(FR) L'invention concerne un dispositif source d'ions à impact électronique ayant une luminosité élevée par comparaison avec des sources d'ions de type Nier connues, tout en fournissant des avantages similaires en termes de flexibilité de l'espèce ionique générée, par exemple. La chambre d'ionisation du dispositif fonctionne à des pressions élevées et permet un grand nombre d'interactions entre le faisceau d'électrons et les molécules de gaz.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)