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1. (WO2018158263) PROCÉDÉ DE DÉGAGEMENT AVEC AUTO-AJUSTEMENT DES SURFACES LATÉRALES D'UN CORPS EN SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/158263    International Application No.:    PCT/EP2018/054834
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Feb 28 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/00
H01L 33/20
H01L 33/38
H01L 33/44
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: EBBECKE, Jens
TAEGER, Sebastian
Title: PROCÉDÉ DE DÉGAGEMENT AVEC AUTO-AJUSTEMENT DES SURFACES LATÉRALES D'UN CORPS EN SEMICONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un procédé de dégagement des surfaces latérales (31) d'un corps en semiconducteur (2), selon lequel le corps en semiconducteur (2) qui possède une première surface principale (201) s'étendant latéralement est fourni. Une pluralité de surfaces latérales verticales (31) sont formées en enlevant partiellement du matériau du corps en semiconducteur (2), et la première surface principale (201) est ainsi retirée dans certaines zones. Les surfaces latérales (31) forment respectivement un angle (α) entre 110° et 160° inclus avec la première surface principale (201) restante. Une couche de protection (4) est appliquée sur le corps en semiconducteur (2), de sorte que la couche de protection (4), vue de dessus, recouvre entièrement la première surface principale (201) restante et les surfaces latérales (31) de configuration inclinée. La couche de protection (4) est ensuite retirée dans certaines zones. La couche de protection (4) est ici retirée au cours d'une étape commune en raison de l'inclinaison dans les zones sur les surfaces latérales (31) de configuration inclinée et elle est au moins partiellement conservées dans les zones sur la première surface principale (201) restante.