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1. (WO2018158124) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/158124 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/054283
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 21.02.2018
CIB :
H01L 33/50 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
FRISCHEISEN, Jörg; DE
EBERHARDT, Angela; DE
PESKOLLER, Florian; DE
HUCKENBECK, Thomas; DE
SCHMIDBERGER, Michael; DE
BAUER, Jürgen; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 104 133.828.02.2017DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic component (100) comprising a semiconductor layer sequence (1) with an active region that emits radiation at least over a main radiation emission surface (11) during operation, a self-supporting conversion element (2) arranged in the beam path of the semiconductor layer sequence (1), the self-supporting conversion element (2) comprising a substrate (21) and a first layer (22), the first layer (22) comprising at least one conversion material (222) embedded in a glass matrix (221) that represents between 50 and 80 vol.% of the first layer (22), the substrate (21) being free of the glass matrix (221) and the conversion material (222) and being used to mechanically stabilise the first layer (22), and the thickness of the first layer (22) being less than 200 μm.
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (100) comprenant une succession de couches semi-conductrices (1) présentant une zone active qui émet un rayonnement au moins par l'intermédiaire d'une surface de sortie de rayonnement principale (11) lorsqu'elle est en fonctionnement, un élément de conversion autoportant (2) qui est placé dans le trajet optique de la succession de couches semi-conductrices (1), l'élément de conversion autoportant (2) comprenant un substrat (21) et une première couche (22), la première couche (22) comprenant au moins un matériau de conversion (222) qui est incorporé dans une matrice vitreuse (221), la proportion de la matrice vitreuse (221) dans la première couche (22) étant comprise entre 50 et 80 % en volume, le substrat (21) étant exempt de la matrice vitreuse (221) et du matériau de conversion (222) et servant à la stabilisation mécanique de la première couche (22), la première couche (22) présentant une épaisseur inférieure à 200 μm.
(DE) Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer Glasmatrix (221) eingebettet ist, wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient, wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von kleiner als 200 μm aufweist.
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Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)