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1. (WO2018158091) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
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N° de publication : WO/2018/158091 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/053912
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 16.02.2018
CIB :
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
54
ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
60
Éléments réfléchissants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
TÅNGRING, Ivar; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 104 144.328.02.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING DIODES, AND LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LEUCHTDIODEN UND LEUCHTDIODE
Abrégé :
(EN) In one embodiment the method is designed for producing light-emitting diodes and comprises the following steps: A) providing a light-emitting diode chip (2) with a growth substrate (21) and a semiconductor layer sequence (22) for generating radiation, and providing a carrier (3) with carrier contact faces (32), B) soldering chip contact faces (23), which are disposed on a chip underside (26) of the semiconductor layer sequence (22) facing away from the growth substrate (21), to the carrier contact faces (32), C) applying a liquid connection means (4), which is permeable for the generated radiation, to a substrate upper side (20) of the growth substrate (21) facing away from the semiconductor layer sequence (22), and fastening a luminescent body (5) to the substrate upper side (20), wherein the connection means (4) is displaced partially from the substrate upper side (20) by the luminescent body (5), such that chip side faces (24) are covered primarily by the connection means (4), and D) generating a reflector (6) on outer faces (46), facing away from the light-emitting diode chip (2), of the connection means (4) on the chip side faces, wherein the outer faces (46) point in a direction away from the carrier (3).
(FR) Dans un mode de réalisation, le procédé vise la fabrication de diodes électroluminescentes et comprend les étapes de : A) fourniture d‘une puce (2) de diode électroluminescente avec un substrat de croissance (21) et une séquence de couches de semi-conductrices (22) pour la génération d'un rayonnement ainsi que la fourniture d’un support (3) avec des surfaces de contact de plaque de support (32), B) soudure de surfaces de contact de puce (23), qui se trouvent sur une face inferieure de puce (26) de la séquence de couches semi-conductrices (22) détournée du substrat de croissance (21), sur les surfaces de contact du support (32), C) application d’un moyen de liaison (4) liquide transparent pour le rayonnement engendré sur une des surfaces supérieures (20) du substrat de croissance (21) détournée de la séquence de couches semi-conductrices (22) et fixation d’un élément luminescent (5) sur la surface supérieure (20) du substrat, le moyen de liaison (4) étant partiellement chassé de la surface supérieure (20) du substrat par l’élément luminescent (5), de telle sorte que les surfaces latérales de puce (24) soient principalement recouvertes par le moyen de liaison (4), et D) production d’un réflecteur (6) sur les surfaces extérieures (46) détournées de la puce de diode électroluminescente (2) du moyen de liaison (4) des surfaces latérales de puce, les surfaces externes (46) pointant dans une direction opposée au support (3).
(DE) In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Leuchtdiodenchips (2) mit einem Aufwachssubstrat (21) und einer Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Strahlung sowie Bereitstellen eines Trägers (3) mit Trägerkontaktflächen (32), B) Anlöten von Chipkontaktflächen (23), die sich an einer dem Aufwachssubstrat (21) abgewandten Chipunterseite (26) der Halbleiterschichtenfolge (22) befinden, an die Trägerkontaktflächen (32), C) Aufbringen eines für die erzeugte Strahlung durchlässigen, flüssigen Verbindungsmittels (4) auf eine der Halbleiterschichtenfolge (22) abgewandte Substratoberseite (20) des Aufwachssubstrats (21) und Befestigen eines Leuchtstoffkörpers (5) auf der Substratoberseite (20), wobei das Verbindungsmittel (4) durch den Leuchtstoffkörper (5) teilweise von der Substratoberseite (20) verdrängt wird, sodass Chipseitenflächen (24) überwiegend von dem Verbindungsmittel (4) bedeckt werden, und D) Erzeugen eines Reflektors (6) an dem Leuchtdiodenchip (2) abgewandten Außenseiten (46) des Verbindungsmittels (4) an den Chipseitenflächen, wobei die Außenseiten (46) in Richtung weg von dem Träger (3) weisen.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)