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1. (WO2018158037) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHES STRUCTURÉES
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N° de publication : WO/2018/158037 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/052657
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 02.02.2018
CIB :
B82Y 10/00 (2011.01) ,H01B 1/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/033 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
10
Nanotechnologie pour le traitement, le stockage ou la transmission d’informations, p.ex. calcul quantique ou logique à un électron
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1
Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
02
composés principalement de métaux ou d'alliages
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
033
comportant des couches inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308
en utilisant des masques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
EVONIK DEGUSSA GMBH [DE/DE]; Rellinghauser Straße 1-11 45128 Essen, DE
Inventeurs :
MEYER, Sebastian; DE
MERKULOV, Sonja; DE
PFEIFER, Holger; DE
RENNER, Gerhard; DE
Données relatives à la priorité :
17158423.828.02.2017EP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING PATTERNED LAYERS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHES STRUCTURÉES
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG STRUKTURIERTER SCHICHTEN
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for producing a patterned layer comprising the following steps in ascending order: i) providing a substrate, ii) applying a polymeric sacrificial layer to the substrate, iii) applying an inorganic or organic-inorganic masking layer to the sacrificial layer, iv) patterning the masking layer by supplying energy, v) if appropriate etching the sacrificial layer. The present invention furthermore relates to the patterned layer obtainable or obtained by this method. The present invention additionally relates to a method for producing a coated substrate comprising steps i) to v) in ascending order, and to the coated substrate obtainable or obtained by this method. The present invention also relates to the use of the patterned layer as a template for correspondingly patterned deposition of metals.
(FR) Cette invention concerne un procédé pour produire une couche structurée comprenant, dans l'ordre croissant suivant, les étapes consistant : i) à fournir un substrat, ii) à appliquer une couche sacrificielle polymère sur le substrat, iii) à appliquer une couche masquante inorganique ou organo-inorganique sur la couche sacrificielle, iv) à structurer la couche masquante par apport d'énergie, v) à éventuellement attaquer la couche sacrificielle. Cette invention concerne en outre la couche structurée pouvant être ou étant obtenue au moyen de ce procédé. La présente invention concerne en outre un procédé pour produire un substrat ainsi pourvu de couches, comprenant les étapes i) à v) réalisées dans l'ordre croissant, ainsi que le substrat pourvu de couches pouvant être ou étant obtenu au moyen de ce procédé. Cette invention concerne également l'utilisation de la couche structurée en tant que gabarit pour réaliser un dépôt ainsi structuré de métaux.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht umfassend die nachfolgenden Schritte in aufsteigender Reihenfolge: i) Bereitstellen eines Substrats, ii) Aufbringen einer polymeren Opferschicht auf das Substrat, iii) Aufbringen einer anorganischen oder organisch-anorganischen Maskierungsschicht auf die Opferschicht, iv) Strukturierung der Maskierungsschicht durch Energiezufuhr, v) ggf. Ätzen der Opferschicht. Sie betrifft ferner die durch dieses Verfahren erhältliche oder erhaltene strukturierte Schicht. Die vorliegende Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats umfassend die Schritte i) bis v) in austeigender Reihenfolge sowie das durch dieses Verfahren erhältliche oder erhaltene beschichtete Substrat. Die vorliegende Erfindung betrifft auch die Verwendung der strukturierten Schicht als Templat zu entsprechend strukturierten Deposition von Metallen.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)