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1. (WO2018157610) SUBSTRAT D'AFFICHEUR À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET AFFICHEUR
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N° de publication : WO/2018/157610 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/107058
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 20.10.2017
CIB :
H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd. Chaoyang District Beijing 100015, CN
北京京东方显示技术有限公司 BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 经济技术开发区经海一路118号 No.118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176, CN
Inventeurs :
冯翔 FENG, Xiang; CN
刘莎 LIU, Sha; CN
杨瑞智 YANG, Ruizhi; CN
孙晓 SUN, Xiao; CN
邱云 QIU, Yun; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710124799.903.03.2017CN
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND DISPLAY
(FR) SUBSTRAT D'AFFICHEUR À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET AFFICHEUR
(ZH) 发光二极管显示基板及其制作方法、显示器
Abrégé :
(EN) Provided are a light-emitting diode display substrate and method for manufacturing same, and a display. The light-emitting diode display substrate comprises a base substrate (100), a light-emitting diode (110) located on the base substrate (100), and a self-assembled monolayer (101). The light-emitting diode (110) comprises a graphene layer (111), and said graphene layer (111) is located on the side of the light-emitting diode (110) that is adjacent to the base substrate (100); the self-assembled monolayer (101) is located between the graphene layer (111) and the base substrate (100) and is connected to the graphene layer (111). The light-emitting diode display substrate uses the feature of a graphene and gallium nitride lattice match to facilitate gallium nitride crystal growth on a transfer substrate; furthermore, graphene is an electrically conductive material and its hardness and flexibility are relatively good; it may be used as a base or as an electrode, and may be used as a medium for performing a roll-to-roll carrier transfer process; in addition, connecting the self-assembled monolayer to the graphene layer using chemical bonds increases the strength of the connection between the light-emitting diode and the base substrate.
(FR) La présente invention porte sur un substrat d'afficheur à diode électroluminescente, sur son procédé de fabrication et sur un afficheur. Le substrat d'afficheur à diode électroluminescente comprend un substrat de base (100), une diode électroluminescente (110) située sur le substrat de base (100) et une mono-couche auto-assemblée (101). La diode électroluminescente (110) comprend une couche de graphène (111) située sur le côté de la diode électroluminescente (110) adjacent au substrat de base (100). La mono-couche auto-assemblée (101) est située entre la couche de graphène (111) et le substrat de base (100) et est reliée à la couche de graphène (111). Le substrat d'afficheur à diode électroluminescente utilise la fonction d'une correspondance de réseau de graphène et de nitrure de gallium de façon à faciliter la croissance de cristal de nitrure de gallium sur un substrat de transfert. En outre, le graphène est un matériau conducteur de l'électricité et sa dureté et sa flexibilité sont relativement bonnes. Il peut être utilisé comme base ou comme électrode, ainsi qu'en tant que support en vue de l'exécution d'un processus de transfert de support rouleau à rouleau. En outre, la liaison de la mono-couche auto-assemblée à la couche de graphène à l'aide de liaisons chimiques augmente la résistance de la liaison entre la diode électroluminescente et le substrat de base.
(ZH) 一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示基板包括衬底基板(100)、位于衬底基板(100)上的发光二极管(110)以及自组装单分子层(101)。该发光二极管(110)包括石墨烯层(111),且石墨烯层(111)位于发光二极管(110)靠近衬底基板(100)的一侧;自组装单分子层(101)位于石墨烯层(111)与衬底基板(100)之间且与石墨烯层(111)连接。该发光二极管显示基板一方面利用了石墨烯与氮化镓晶格匹配的特点有助于氮化镓在转移基板上长晶,而且石墨烯是导电材料,硬度和柔韧性都比较好,既可以做基底,又可以做电极,还可以作为媒介进行卷对卷载体转移工艺;另一方面采用自组装单分子层与石墨烯层以化学键形式连接,从而增加了发光二极管与衬底基板的连接强度。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)