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1. (WO2018157601) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TROU D'INTERCONNEXION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
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N° de publication : WO/2018/157601 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/105380
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 09.10.2017
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333
Dispositions relatives à la structure
1343
Electrodes
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥京东方光电科技有限公司 HEFEI BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 铜陵北路2177号 No.2177, Tonglingbei Road Hefei, Anhui 230012, CN
Inventeurs :
段献学 DUAN, Xianxue; CN
宫奎 GONG, Kui; CN
Mandataire :
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市 海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201710117979.401.03.2017CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR VIA, MANUFACTURING METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE, AND ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TROU D'INTERCONNEXION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
(ZH) 过孔的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板
Abrégé :
(EN) A manufacturing method for a via (31), a manufacturing method for an array substrate, and the array substrate. The manufacturing method for the via (31) comprises: providing a base substrate (10); forming an insulating layer (2) on the base substrate (10); employing a primary etching process to etch the insulating layer (2) to form a groove (30) in the insulating layer (2); implanting ions (24) to the part of the insulating layer (2) being exposed by the groove (30) to form an ion-implanted region; and employing a secondary etching process to etch the insulating layer (2) in the ion-implanted region to form the via (31) running through the insulating layer (2). The manufacturing method for the via (31) utilizes an ion implantation process to implant the ions to the insulating layer (2), and increases the density of the insulating layer (2) in the ion-implanted region, thus preventing the insulating layer from severe lateral etching and thereby producing undercut chamfer, increasing the quality of the via (31), ensuring the effectiveness of the via (31), and improving on or eliminating the undesirable phenomenon of contact breakage between a pixel electrode (19) and a source/drain electrode layer electrically connected using the via (31).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un trou d'interconnexion (31), un procédé de fabrication d'un substrat de réseau et le substrat de réseau. Le procédé de fabrication du trou d'interconnexion (31) consiste : à fournir un substrat de base (10); à former une couche isolante (2) sur le substrat de base (10); à utiliser un processus de gravure primaire pour graver la couche isolante (2) afin de former une rainure (30) dans la couche isolante (2); à implanter des ions (24) dans la partie de la couche isolante (2) qui est exposée par la rainure (30) pour former une région à implantation ionique; et à utiliser un processus de gravure secondaire pour graver la couche isolante (2) dans la région à implantation ionique afin de former le trou d'interconnexion (31) passant à travers la couche isolante (2). Le procédé de fabrication du trou d'interconnexion (31) utilise un procédé d'implantation ionique pour implanter les ions sur la couche isolante (2), et augmente la densité de la couche isolante (2) dans la région à implantation ionique, empêchant ainsi à la couche isolante de procéder à une gravure latéralement grave et produisant ainsi un chanfrein en contre-dépouille, augmentant la qualité du trou d'interconnexion (31), assurant l'efficacité du trou d'interconnexion (31), et améliorant ou éliminant le phénomène indésirable de rupture de contact entre une électrode de pixel (19) et une couche d'électrode de source/drain connectée électriquement à l'aide du trou d'interconnexion (31).
(ZH) 一种过孔(31)的制备方法、阵列基板的制备方法以及阵列基板。过孔(31)的制备方法包括:提供衬底基板(10);在衬底基板(10)上形成绝缘层(2);采用第一次刻蚀工艺刻蚀绝缘层(2)以在绝缘层(2)中形成凹槽(30);对绝缘层(2)的由凹槽(30)暴露的部分进行离子(24)注入,以形成离子注入区;采用第二次刻蚀工艺刻蚀离子注入区内的绝缘层(2)以形成贯穿绝缘层(2)的过孔(31)。过孔(31)的制备方法利用离子注入工艺,对绝缘层(2)进行离子注入,增大离子注入区内的绝缘层(2)密度,从而避免其被严重侧向刻蚀而产生底切倒角,提高了过孔(31)的质量,保证了过孔(31)的有效性,改善或消除了利用过孔(31)进行电连接的像素电极(19)与源漏电极层之间接触跨断的不良现象。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)