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1. (WO2018157521) PILE SOLAIRE PERC POUVANT AMÉLIORER L'EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2018/157521 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/089884
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 24.06.2017
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0216
Revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
广东爱康太阳能科技有限公司 GUANGDONG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省佛山 三水三水工业园区C区69号 No. 69 Sanshui Industrial Park, Sanshui Foshan, Guangdong 528000, CN
浙江爱旭太阳能科技有限公司 ZHEJIANG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国浙江省义乌市 苏溪镇苏福路126号 No. 126 Sufu Road, Suxi Town Yiwu, Zhejiang 321000, CN
Inventeurs :
赖俊文 LAI, Chun-Wen; CN
方结彬 FANG, Jiebin; CN
陈刚 CHEN, Gang; CN
Mandataire :
广州三环专利代理有限公司 SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD; 中国广东省广州 越秀先烈中路80号汇华商贸大厦1508 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No.80, Xianliezhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510000, CN
Données relatives à la priorité :
201710122715.803.03.2017CN
Titre (EN) PERC SOLAR BATTERY CAPABLE OF IMPROVING PHOTOELECTRIC CONVERSION EFFICIENCY AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) PILE SOLAIRE PERC POUVANT AMÉLIORER L'EFFICACITÉ DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 能够提高光电转换效率的PERC太阳能电池及其制备方法
Abrégé :
(EN) The invention provides a PERC solar battery capable of improving photoelectric conversion efficiency and a preparation method therefor. The solar battery comprises a back silver electrode (1), an aluminum back field (2), a back silicon nitride film (3), a back aluminum oxide film (4), a P-type silicon (5), an N-type silicon (6), a front silicon nitride film (7) and a front silver electrode (8), arranged in this order from bottom to top. The aluminum back field (2) is connected with the P-type silicon (5) through a back aluminum strip (10), the P-type silicon (5) being a silicon wafer of the battery. The N-type silicon (6) is an N-type emitter formed by diffusion on the front surface of the silicon wafer, the front silicon nitride film (7) is deposited on the front surface of the silicon wafer, and the back aluminum oxide film (4) is deposited on the back surface of the silicon wafer. The front silicon nitride film (7) is deposited on the silicon wafer and then the back aluminum oxide film (3) is deposited, and the back surface of the silicon wafer is cleaned before depositing the back aluminum oxide film (3). By virtue of the battery, the passivation effect of the back aluminum oxide film can be remarkably improved, and the open-circuit voltage and the short-circuit current of the battery can be improved, thereby improving the photoelectric conversion efficiency of the battery.
(FR) La présente invention porte sur une pile solaire pouvant améliorer l'efficacité de conversion photoélectrique et sur son procédé de préparation. La pile solaire comprend une électrode d'argent arrière (1), un champ d'aluminium arrière (2), un film de nitrure de silicium arrière (3), un film d'oxyde d'aluminium arrière (4), un silicium de type P (5), un silicium de type N (6), un film de nitrure de silicium avant (7) et une électrode d'argent avant (8), agencés dans cet ordre de bas en haut. Le champ d'aluminium arrière (2) est connecté au silicium de type P (5) par l'intermédiaire d'une bande d'aluminium arrière (10), le silicium de type P (5) étant une tranche de silicium de la batterie. Le silicium de type N (6) est un émetteur de type N formé par diffusion sur la surface avant de la tranche de silicium, le film de nitrure de silicium avant (7) est déposé sur la surface avant de la tranche de silicium, et le film d'oxyde d'aluminium arrière (4) est déposé sur la surface arrière de la tranche de silicium. Le film de nitrure de silicium avant (7) est déposé sur la tranche de silicium et le film d'oxyde d'aluminium arrière (3) est ensuite déposé, et la surface arrière de la tranche de silicium est nettoyée avant le dépôt du film d'oxyde d'aluminium arrière (3). Grâce à la pile, l'effet de passivation du film d'oxyde d'aluminium arrière peut être remarquablement amélioré, la tension de circuit ouvert et le courant de court-circuit de la pile peuvent être améliorés, ce qui permet d'améliorer l'efficacité de conversion photoélectrique de la pile.
(ZH) 提供了能够提高光电转换效率的PERC太阳能电池及其制备方法,太阳能电池包括自下而上依次设置的背银电极(1)、铝背场(2)、背面氮化硅膜(3)、背面氧化铝膜(4)、P型硅(5)、N型硅(6)、正面氮化硅膜(7)和正银电极(8),铝背场(2)通过背铝条(10)与P型硅(5)相连,P型硅(5)为电池的硅片,N型硅(6)为在硅片正面扩散形成的N型发射极,正面氮化硅膜(7)沉积在硅片正面,背面氧化铝膜(4)沉积在硅片背面,硅片沉积正面氮化硅膜(7)后再沉积背面氧化铝膜(3),并且在沉积背面氧化铝膜(3)前对硅片背面进行清洗。这种电池可以显著提升背面氧化铝膜的钝化效果,提高电池的开路电压和短路电流,从而提升电池的光电转换效率。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)