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1. (WO2018157520) CELLULE SOLAIRE PERC DE TYPE P À DOUBLE FACE AMÉLIORÉE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELLE-CI
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N° de publication : WO/2018/157520 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/089883
Date de publication : 07.09.2018 Date de dépôt international : 24.06.2017
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/042 (2014.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
广东爱康太阳能科技有限公司 GUANGDONG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省佛山 三水三水工业园区C区69号 No. 69 Sanshui Industrial Park, Sanshui Foshan, Guangdong 528000, CN
浙江爱旭太阳能科技有限公司 ZHEJIANG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 中国浙江省义乌市 苏溪镇苏福路126号 No. 126 Sufu Road, Suxi Town Yiwu, Zhejiang 321000, CN
Inventeurs :
方结彬 FANG, Jiebin; CN
何达能 HO, Ta-neng; CN
陈刚 CHEN, Gang; CN
Mandataire :
广州三环专利代理有限公司 SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD; 中国广东省广州 越秀先烈中路80号汇华商贸大厦1508 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No.80, Xianliezhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510000, CN
Données relatives à la priorité :
201710124040.003.03.2017CN
Titre (EN) IMPROVED P-TYPE PERC DOUBLE-SIDED SOLAR CELL AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) CELLULE SOLAIRE PERC DE TYPE P À DOUBLE FACE AMÉLIORÉE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELLE-CI
(ZH) 一种改进型P型PERC双面太阳能电池及其制备方法
Abrégé :
(EN) An improved P-type PERC double-sided solar cell and a preparation method therefor. The solar cell comprises a back electrode (1), a back silicon nitride film (3), an alumina film (4), P-type silicon (5), an N-type emitter (6), a front silicon nitride film (7), and a front silver electrode (8) which are sequentially arranged from bottom to top; the back electrode (1) is mainly formed by connecting back electrode main grid lines (11) and back electrode auxiliary grid lines (12) which are perpendicularly orthogonal; grooves (2) penetrating through the back silicon nitride film (3) and the alumina film (4) are formed in the back silicon nitride film (3); the P-type silicon (5) is exposed in the grooves (2); the back electrode auxiliary grid lines (12) mainly consist of back aluminum grid lines (121) and back silver grid lines (122); the parts (9) of the back aluminum grid lines (121) located in the grooves (2) are connected with the P-type silicon (5); and the back silver grid lines (122) are arranged on the external surfaces of the back aluminum grid lines (121) exposed out of the grooves (2). According to the double-sided solar cell, the conductivity of the original back electrode auxiliary grid lines can be improved, the series resistance of the double-sided solar cell can be reduced, the photoelectric conversion efficiency of the double-sided solar cell can be improved.
(FR) L'invention concerne une cellule solaire PERC de type P à double face améliorée et un procédé de préparation de celle-ci. La cellule solaire comprend une électrode arrière (1), un film arrière en nitrure de silicium (3), un film d'alumine (4), du silicium de type P (5), un émetteur de type N (6), un film avant en nitrure de silicium (7), et une électrode avant en argent (8) qui sont agencés séquentiellement de bas en haut ; l'électrode arrière (1) est principalement formée en connectant des lignes de grille principales d'électrode arrière (11) et des lignes de grille auxiliaires d'électrode arrière (12) qui sont orthogonales perpendiculairement ; des rainures (2) pénétrant à travers le film arrière en nitrure de silicium (3) et le film d'alumine (4) sont formées dans le film arrière en nitrure de silicium (3) ; le silicium de type P (5) est exposé dans les rainures (2) ; les lignes de grille auxiliaires d'électrode arrière (12) sont principalement constituées de lignes de grille arrière en aluminium (121) et de lignes de grille arrière en argent (122) ; les parties (9) des lignes de grille arrière en aluminium (121) situées dans les rainures (2) sont connectées au silicium de type P (5) ; et les lignes de grille arrière en argent (122) sont agencées sur les surfaces extérieures des lignes de grille arrière en aluminium (121) exposées hors des rainures (2). Selon la cellule solaire à double face, la conductivité des lignes de grille auxiliaires d'électrode arrière d'origine peut être améliorée, la résistance en série de la cellule solaire à double face peut être réduite, le rendement de conversion photoélectrique de la cellule solaire à double face peut être amélioré.
(ZH) 一种改进型P型PERC双面太阳能电池及其制备方法,包括从下至上依次设置的背电极(1)、背面氮化硅膜(3)、氧化铝膜(4)、P型硅(5)、N型发射极(6)、正面氮化硅膜(7)和正银电极(8),背电极(1)主要由呈垂直相交的背极主栅线(11)和背极副栅线(12)相连而成,在背面氮化硅膜(3)上开有贯通背面氮化硅膜(3)和氧化铝膜(4)的开槽(2),P型硅(5)露于开槽(2)中,背极副栅线(12)主要由背铝栅线(121)和背银栅线(122)组成,背铝栅线(121)位于开槽(2)内的部分(9)与P型硅(5)相连,沿着背铝栅线(121)露于开槽(2)外的部分的外表面设置有背银栅线(122)。改善原有背极副栅线的导电性,降低双面太阳能电池的串阻,提高双面太阳能电池的光电转换效率。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)