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1. (WO2018157279) COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR À PONT CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/157279    International Application No.:    PCT/CN2017/075141
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 01 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 27/11524
H01L 29/06
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
中国科学院微电子研究所
Inventors: LIU, Qi
刘琦
ZHAO, Xiaolong
赵晓龙
LIU, Sen
刘森
LIU, Ming
刘明
LV, Hangbing
吕杭炳
LONG, Shibing
龙世兵
WANG, Yan
王艳
WU, Facai
伍法才
Title: COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR À PONT CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L’invention concerne un composant à semiconducteur à pont conducteur et son procédé de fabrication. Le composant à semiconducteur à pont conducteur comprend dans une séquence ascendante : une électrode inférieure (10), une couche fonctionnelle résistive (20), une couche barrière aux ions (30), et une électrode supérieure active (40), des trous (31) pour les ions électroconducteurs actifs devant passer à travers étant prévus sur la couche barrière aux ions (30). Une mémoire résistive à pont conducteur et un sélecteur à pont conducteur peuvent être fabriqués sur la base de cette structure, en régulant le nombre, le diamètre, et la densité des trous sur la couche barrière aux ions, cette mise en œuvre est une régulation précise d'un trajet électroconducteur pour une mémoire et un sélecteur à base de pont conducteur.