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1. (WO2018146933) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/146933 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/044094
Date de publication : 16.08.2018 Date de dépôt international : 07.12.2017
CIB :
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/40 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
40
Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO.,LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs :
甲斐 健志 KAI Kenshi; JP
丸山 力宏 MARUYAMA Rikihiro; JP
宮嵜 啓裕 MIYAZAKI Yoshihiro; JP
Mandataire :
鈴木 壯兵衞 SUZUKI Sohbe; JP
Données relatives à la priorité :
2017-02409113.02.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are a semiconductor device with which a change in form of an insulating circuit substrate can be suppressed and improved heat dissipation can be obtained, and a method for manufacturing the same. The semiconductor device is provided with: an insulating circuit substrate (3a, 3b, 3c) on which a semiconductor chip (7) is mounted; and a case (1a) which has bonding areas 8 for bonding to the insulating circuit substrate (3a, 3b, 3c) in each of at least a pair of side wall portions forming two sides opposing each other. Each bonding area 8 has an arched shape with the center in a direction in which the two sides extend protruding beyond the ends toward the insulating circuit substrate (3a, 3b, 3c).
(FR) L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur permettant de supprimer un changement de forme d'un substrat de circuit isolant et d'obtenir une dissipation de chaleur améliorée, et sur son procédé de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur est pourvu : d'un substrat de circuit isolant (3a, 3b, 3c) sur lequel une puce semi-conductrice (7) est montée ; et d'un boîtier (1a) qui comporte des surfaces de liaison (8) en vue d'une liaison au substrat de circuit isolant (3a, 3b, 3c) dans chaque partie paroi latérale d'au moins une paire de parties parois latérales formant deux côtés mutuellement opposés. Chaque surface de liaison (8) présente une forme arquée dont le centre est orienté dans une direction dans laquelle les deux côtés s'étendent en saillie au-delà des extrémités vers le substrat de circuit isolant (3a, 3b, 3c).
(JA) 絶縁回路基板の形状変化を抑制し、放熱性を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。半導体装置は、半導体チップ(7)を搭載した絶縁回路基板(3a,3b,3c)と、絶縁回路基板(3a,3b,3c)に接合する接合領域8を少なくとも対向する2辺をなす一組の側壁部にそれぞれ有し、接合領域8の形状が、2辺の延びる方向の中央が両端より絶縁回路基板(3a,3b,3c)側に突出する円弧状であるケース(1a)と、を備える。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)