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1. (WO2018146847) APPAREIL DE NETTOYAGE POUR SUBSTRATS EN SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE POUR SUBSTRATS EN SEMICONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/146847 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032789
Date de publication : 16.08.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
栗田工業株式会社 KURITA WATER INDUSTRIES LTD. [JP/JP]; 東京都中野区中野四丁目10番1号 10-1, Nakano 4-chome, Nakano-ku, Tokyo 1640001, JP
Inventeurs :
藤村 侑 FUJIMURA Yu; JP
Mandataire :
早川 裕司 HAYAKAWA Yuzi; JP
村雨 圭介 MURASAME Keisuke; JP
Données relatives à la priorité :
2017-02042807.02.2017JP
Titre (EN) CLEANING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND CLEANING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) APPAREIL DE NETTOYAGE POUR SUBSTRATS EN SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE POUR SUBSTRATS EN SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法
Abrégé :
(EN) A cleaning apparatus 10 for semiconductor substrates, which cleans a semiconductor substrate with use of ozone water, and which is provided with: a cooling means 3 for cooling ozone water W2 at a temperature of 20°C or more down to a predetermined temperature; and a cleaning means 4 for cleaning a substrate by means of ozone water W3 which has been cooled by the cooling means 3. The cleaning means 4 comprises a cleaning tank 41 in which the substrate is immersed and cleaned in the ozone water W3, which has been cooled by the cooling means 3. According to a cleaning method that uses this cleaning apparatus 10 for semiconductor substrates, a semiconductor substrate is immersed in ozone water, so that the loss of a substrate material during a cleaning step is able to be reduced, while removing foreign metal substances and organic substances such as resists remaining on the substrate surface by cleaning.
(FR) L'invention concerne un appareil de nettoyage (10) pour substrats en semiconducteur, qui nettoie un substrat en semiconducteur en utilisant de l'eau ozonée, et qui comporte : un moyen de refroidissement (3) destiné à refroidir de l'eau ozonée W2 se trouvant à une température égale ou supérieure à 20 °C jusqu'à une température prédéterminée ; et un moyen de nettoyage (4) destiné à nettoyer un substrat au moyen d'eau ozonée W3 qui a été refroidie par le moyen de refroidissement (3). Le moyen de nettoyage (4) comprend un réservoir de nettoyage (41) dans lequel le substrat est immergé et nettoyé dans l'eau ozonée W3 qui a été refroidie par le moyen de refroidissement (3). Selon un procédé de nettoyage qui utilise l'appareil de nettoyage (10) selon l'invention pour des substrats en semiconducteur, un substrat en semiconducteur est immergé dans de l'eau ozonée, ce qui permet de réduire les pertes d'un matériau de substrat pendant une étape de nettoyage tout en éliminant des substances métalliques étrangères et des substances organiques telles que des résidus de réserve sur la surface du substrat par nettoyage.
(JA) オゾン水を用いて半導体基板を洗浄する半導体基板の洗浄装置10であって、20℃以上のオゾン水W2を所定の温度に冷却する冷却手段3と、冷却手段3で冷却したオゾン水W3により基板を洗浄する洗浄手段4とを備える。洗浄手段4は、冷却手段3により冷却されたオゾン水W3に基板を浸漬して洗浄する洗浄槽41を有する。かかる半導体基板の洗浄装置10を用いた洗浄方法によれば、半導体基板をオゾン水に浸漬させることにより、基板表面に残留したレジスト等の有機物や金属異物を洗浄除去するとともに、洗浄工程における基板材料のロスを低減させることができる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)