Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018146791) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/146791 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/004902
Date de publication : 16.08.2018 Date de dépôt international : 10.02.2017
CIB :
H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
872
Diodes Schottky
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
47
Electrodes à barrière de Schottky
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
868
Diodes PIN
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
林田 哲郎 HAYASHIDA Tetsuro; JP
南條 拓真 NANJO Takuma; JP
綿引 達郎 WATAHIKI Tatsuro; JP
古川 彰彦 FURUKAWA Akihiko; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) A substrate (1) is formed of a gallium nitride-based material. An n-type layer (2) is provided on a first surface of the substrate (1). A p-type layer (31) is provided on the n-type layer (2), and constitutes, with the n-type layer (2), a semiconductor layer on the first surface of the substrate (1), said semiconductor layer being provided with a mesa shape (41) having a bottom surface (41b), side surface (41s), and top surface (41t). An anode electrode (71) is provided on the p-type layer (31). A cathode electrode (6) is provided on a second surface of the substrate (1). An insulating film (8) is covering the side surface (41s) by extending onto the top surface (41t) from an area on the bottom surface (41b). The top surface (41t) is provided with at least one trench (51). The at least one trench (51) includes a trench (51) filled with the insulating film (8).
(FR) L'invention concerne un substrat formé d'un matériau à base de nitrure de gallium. Une couche de type n (2) est disposée sur une première surface du substrat (1). Une couche de type p (31) est disposée sur la couche de type n (2), et constitue, avec la couche de type n (2), une couche semiconductrice sur la première surface du substrat (1), ladite couche semiconductrice étant pourvue d'une forme mesa (41) ayant une surface inférieure (41b), une surface latérale (41s) et une surface supérieure (41t). Une électrode d'anode (71) est disposée sur la couche de type p (31). Une électrode de cathode (6) est disposée sur une seconde surface du substrat (1). Un film isolant (8) recouvre la surface latérale (41s) en s'étendant sur la surface supérieure (41t) à partir d'une zone sur la surface inférieure (41b). La surface supérieure (41t) comprend au moins une tranchée (51). L'au moins une tranchée (51) comprend une tranchée (51) remplie du film isolant (8).
(JA) 基板(1)は窒化ガリウム系材料からなる。n型層(2)は、基板(1)の第1の面上に設けられている。p型層(31)は、n型層(2)上に設けられており、基板(1)の第1の面上においてn型層(2)とともに、底面(41b)と側面(41s)と天面(41t)とを有するメサ形状(41)が設けられた半導体層を構成している。アノード電極(71)はp型層(31)上に設けられている。カソード電極(6)は基板(1)の第2の面上に設けられている。絶縁膜(8)は、底面(41b)上から天面(41t)上へ延びることによって側面(41s)を覆っている。天面(41t)には少なくとも1つのトレンチ(51)が設けられている。上記少なくとも1つのトレンチ(51)は、絶縁膜(8)によって充填されたトレンチ(51)を含む。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)