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1. (WO2018146780) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/146780 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/004799
Date de publication : 16.08.2018 Date de dépôt international : 09.02.2017
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
原田 啓行 HARADA, Hiroyuki; JP
吉松 直樹 YOSHIMATSU, Naoki; JP
碓井 修 USUI, Osamu; JP
井本 裕児 IMOTO, Yuji; JP
吉岡 佑毅 YOSHIOKA, Yuki; JP
Mandataire :
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置及び電力変換装置
Abrégé :
(EN) A semiconductor chip (6) is provided on an insulating substrate (2). A lead frame (8) is bonded to the upper surface of the semiconductor chip (6). A sealing resin (12) is covering the semiconductor chip (6), insulating substrate (2), and lead frame (8). A stress mitigation resin (13) having an elastic modulus lower than that of the sealing resin (12) is applied to a part of an end section of the lead frame (8).
(FR) L'invention concerne une puce semiconductrice (6) disposée sur un substrat isolant (2). Une grille de connexion (8) est liée à la surface supérieure de la puce semiconductrice (6). Une résine d'étanchéité (12) recouvre la puce semiconductrice (6), le substrat isolant (2) et la grille de connexion (8). Une résine d'atténuation de contrainte (13) ayant un module élastique inférieur à celui de la résine d'étanchéité (12) est appliquée à une partie d'une section d'extrémité de la grille de connexion (8).
(JA) 絶縁基板(2)の上に半導体チップ(6)が設けられている。リードフレーム(8)が半導体チップ(6)の上面に接合されている。封止樹脂(12)が半導体チップ(6)、絶縁基板(2)及びリードフレーム(8)を覆う。封止樹脂(12)よりも低い弾性率を持つ応力緩和樹脂(13)がリードフレーム(8)の端部に部分的に塗布されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)