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1. (WO2018146713) ÉLÉMENT DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :
WO/2018/146713
N° de la demande internationale :
PCT/JP2017/004324
Date de publication :
16.08.2018
Date de dépôt international :
07.02.2017
CIB :
H01L 29/82
(2006.01) ,
H01L 37/00
(2006.01) ,
H02N 11/00
(2006.01)
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
37
Dispositifs thermoélectriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H
ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
N
MACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Générateurs ou moteurs non prévus ailleurs; Mouvements dits perpétuels obtenus par des moyens électriques ou magnétiques
Déposants :
日本電気株式会社 NEC CORPORATION
[JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Inventeurs :
桐原 明宏 KIRIHARA Akihiro
; JP
石田 真彦 ISHIDA Masahiko
; JP
Mandataire :
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki
; JP
Données relatives à la priorité :
Titre
(EN)
THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR)
ÉLÉMENT DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA)
熱電変換素子およびその製造方法
Abrégé :
(EN)
The purpose of the present invention is to implement stable thermoelectric conversion operation in a convenient manner in a thermoelectric conversion element (21) in which a spin-Seebeck effect and an anomalous Nernst effect are used in combination. A thermoelectric conversion element of the present invention comprises: a stacked film (23) of a magnetic metal film (21) which generates a first electromotive force due to a temperature gradient in a film-thickness direction (Z), and an antiferromagnetic metal film (22) which is stacked on the magnetic metal film to fix a magnetization direction of the magnetic metal film in one direction (y) in a film plane, and which generates a second electromotive force due to injection of a spin current of the magnetic metal film caused by the temperature gradient in the film-thickness direction; and a pair of terminals (24) disposed side by side and spaced apart from each other in a direction (x) different from the magnetization direction on the film plane of the stacked film.
(FR)
La présente invention a pour objet de mettre en œuvre une opération de conversion thermoélectrique stable de manière commode dans un élément de conversion thermoélectrique (21) dans lequel un effet de spin Seebeck et un effet de Nernst anormal sont utilisés en combinaison. Un élément de conversion thermoélectrique selon la présente invention comprend : un film empilé (23) d'un film métallique magnétique (21) qui génère une première force électromotrice due à un gradient de température dans une direction d'épaisseur de film (Z), et un film métallique antiferromagnétique (22) qui est empilé sur le film métallique magnétique pour fixer une direction de magnétisation du film métallique magnétique dans une direction (y) dans un plan de film, et qui génère une deuxième force électromotrice due à l'injection d'un courant de spin du film métallique magnétique provoqué par le gradient de température dans la direction de l'épaisseur du film ; et une paire de bornes (24) disposées côte à côte et espacées l'une de l'autre dans une direction (x) différente de la direction de magnétisation sur le plan de film du film empilé.
(JA)
本発明は、スピンゼーベック効果と異常ネルンスト効果を併用する熱電変換素子(21)において、安定した熱電変換動作を利便性良く実現することを目的とする。本発明の熱電変換素子は、膜厚方向(Z)の温度勾配によって第1の起電力を生じる磁性金属膜(21)と、前記磁性金属膜に積層されて前記磁性金属膜の磁化方向を膜面内の一方向(y)に固定し、膜厚方向の温度勾配によって生じる前記磁性金属膜のスピン流の注入を受けて第2の起電力を生じる反強磁性金属膜(22)と、の積層膜(23)と、前記積層膜の膜面上に前記磁化方向と異なる方向(x)に離隔して並設された一対の端子(24)と、を有する。
États désignés :
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication :
japonais (
JA
)
Langue de dépôt :
japonais (
JA
)