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1. (WO2018146337) DÉCODEUR D'ADRESSE RÉSISTIF ET MÉMOIRE VIRTUELLEMENT ADRESSÉE
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N° de publication : WO/2018/146337 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/053583
Date de publication : 16.08.2018 Date de dépôt international : 13.02.2018
CIB :
G11C 15/04 (2006.01) ,G11C 15/02 (2006.01) ,G11C 8/10 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
15
Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c. à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu
04
utilisant des éléments semi-conducteurs
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
15
Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c. à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu
02
utilisant des éléments magnétiques
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
10
Décodeurs
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
Déposants :
TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED [IL/IL]; Senate House Technion City 32000 Haifa, IL
Inventeurs :
YAVITS, Leonid; IL
GINOSAR, Ran; IL
WEISER, Uri; IL
Mandataire :
FRKELLY; 27 Clyde Road Dublin, D04 F838, IE
Données relatives à la priorité :
62/458,28613.02.2017US
Titre (EN) RESISTIVE ADDRESS DECODER AND VIRTUALLY ADDRESSED MEMORY
(FR) DÉCODEUR D'ADRESSE RÉSISTIF ET MÉMOIRE VIRTUELLEMENT ADRESSÉE
Abrégé :
(EN) NAND-based content addressable memory is provided with each memory cell comprising: a row select transistor having a row select gate; two programmable resistive elements, such as memristors, connected in series between complementary address lines; wherein an intermediate node of the two programmable resistive elements is connected to the row select gate. These memory cells can be used to provide a programmable resistive address decoder. Such decoders can improve computer hardware performance in various ways: 1) improved translation lookaside buffers, 2) improved cache memory, and 3) by eliminating physical addresses entirely.
(FR) L'invention concerne une mémoire adressable par le contenu à base de NON-ET, chaque cellule de mémoire comprenant : un transistor de sélection de rangée comportant une grille de sélection de rangée ; deux éléments résistifs programmables, tels que des memristors, reliés en série entre des lignes d'adresses complémentaires ; un nœud intermédiaire des deux éléments résistifs programmables étant relié à la grille de sélection de rangée. Ces cellules de mémoire peuvent être utilisées pour fournir un décodeur d'adresse résistif programmable. De tels décodeurs peuvent améliorer les performances du matériel informatique de diverses manières : 1) des mémoires tampons d'anticipation de traduction améliorées, 2) une mémoire cache améliorée, et 3) en éliminant entièrement des adresses physiques.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)